SK하이닉스, 6단 EUV로 1c DRAM 기술 개발…삼성 대비 고NA EUV 혁신 기술 경쟁력 강화

SK하이닉스는 1c DRAM 기술 출시라는 야심 찬 계획으로 화제를 모으고 있습니다.이 혁신적인 접근 방식은 DDR5와 HBM 제품의 성능 기준을 높여 메모리 칩셋 시장의 선두 주자로 자리매김할 것입니다.

SK하이닉스, 차세대 DRAM 기술에 EUV 적용해 수율·성능 향상

이 전략적 이니셔티브는 컨슈머 및 HBM 메모리 분야에서 하이닉스의 제품 및 서비스를 크게 향상시킬 것으로 예상됩니다.더 중요한 것은, 고개수 EUV(High-NA EUV) 공정을 도입할 가능성이 높은 차세대 DRAM 기술로의 발전을 위한 토대를 마련한다는 것입니다.

극자외선 리소그래피(EUV)에 익숙하지 않은 분들을 위해, 이 기술은 복잡한 공정을 수반한다는 점을 알아두는 것이 중요합니다.정밀하게 구동되는 13.5nm 파장에서 작동하는 EUV는 여러 단계의 패터닝 필요성을 최소화하면서 더 미세한 형상을 구현하여 복잡한 회로 문제를 해결하는 것을 목표로 합니다.