SK하이닉스는 HBM5, GDDR7-next, DDR6 및 혁신적인 400+ 레이어 4D NAND 솔루션의 발전을 특징으로 하는 2029년 이후의 야심찬 기술 로드맵을 공개했습니다.
SK하이닉스 차세대 DRAM·NAND 로드맵: 2029~2031년 주요 개발 방향
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2026년에서 2028년까지 하이닉스는 16-Hi 구성의 HBM4와 8/12/16-Hi 변형의 HBM4E를 맞춤형 HBM 솔루션과 함께 출시할 예정입니다.이 이니셔티브는 메모리 성능을 크게 향상시키는 것을 목표로 합니다.
혁신적인 맞춤형 HBM 솔루션은 HBM 컨트롤러를 베이스 다이에 재배치하여 프로토콜과 같은 다양한 IP 구성 요소의 통합을 최적화합니다.이러한 전략적 움직임을 통해 GPU 및 ASIC 제조업체는 컴퓨팅에 사용할 수 있는 실리콘 면적을 늘릴 수 있습니다.또한, 이러한 맞춤형 설계는 인터페이스 전력 소비를 줄여 효율성을 향상시킬 것으로 예상됩니다. TSMC와 협력하여 하이닉스는 이러한 차세대 HBM 솔루션을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.
NAND 개발 및 미래 방향
NAND 분야에서는 QLC 기술을 활용한 245TB 이상의 용량을 자랑하는 PCIe Gen5 eSSD, PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, AI가 강화된 “AI-N” NAND 솔루션 등의 표준 솔루션을 선보이고 있습니다.
그래픽 및 메모리 기술에 대한 미래 기대
곧 출시될 GDDR7-next는 외장 그래픽 카드의 발전에 있어 격차를 나타냅니다. GDDR7의 초기 출시는 30~32Gbps로 제한되어 최대 48Gbps에 도달할 것으로 예상됩니다.이 표준의 예상 잠재력을 고려할 때, 최대 용량의 광범위한 활용은 2027년에서 2028년경까지는 실현되지 않을 것으로 예상됩니다.
또한, 2029년에서 2031년 사이에 DDR6가 출시될 예정이라는 점을 고려하면, 기존 데스크톱과 노트북 PC 사용자는 DDR5 이후의 성능 향상을 기대하기는 수 년 더 걸릴 것으로 보입니다.
고대역폭 플래시는 차세대 개인용 컴퓨팅 기술에 대한 새로운 AI 추론 수요를 충족할 준비가 되어 있으며, 실제 시나리오에서 이 기술의 실용적인 응용 프로그램과 효과를 관찰하는 것은 흥미로울 것입니다.
풀스택 AI 메모리 라인업
– 현재의 메모리 솔루션은 컴퓨팅을 우선시하지만, 미래에는 컴퓨팅 리소스 활용도를 높이고 AI 추론 병목 현상을 해결하기 위해 메모리의 역할을 다양화하는 방향으로 변화하고 있습니다.
– AI 시장이 효율성과 최적화를 중심으로 성장함에 따라, HBM이 맞춤형 제품으로 발전하면 특정 고객 요구 사항을 충족할 수 있으며, 이를 통해 GPU 및 ASIC 성능을 극대화하는 동시에 데이터 전송 전력 소비를 줄일 수 있습니다.
– “AI-D” DRAM 개발은 호환성과 성능 향상을 위한 노력을 보여줍니다.여기에는 다음이 포함됩니다.
- “AI-D O(최적화)” – 총 소유 비용을 낮추고 운영 효율성을 향상시키는 것을 목표로 하는 저전력 고성능 DRAM입니다.
- “AI-D B(Breakthrough)” – 다양한 할당 기능을 갖춘 초고용량 메모리를 제공하는 솔루션입니다.
- “AI-D E(확장)” – DRAM 애플리케이션을 로봇공학, 모빌리티, 산업 자동화 분야로 확장합니다.
이러한 혁신이 실현되려면 아직 몇 년이 걸리겠지만, 곧 다가올 발전은 기술 환경에 혁명을 일으킬 것으로 기대되므로 기다릴 만한 가치가 있습니다.
뉴스 출처: Harukaze5719
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