SK하이닉스, 차세대 DRAM 생산 위한 ASML 고개수 EUV 시스템 상용화로 업계 선도

반도체 업계의 획기적인 발전으로, 위하이닉스는 ASML의 고개수 EUV 장비를 자사 생산 시설에 도입한 최초의 기업이라는 역사를 썼습니다.이러한 주목할 만한 성과는 위하이닉스가 TSMC와 삼성과 같은 기존 경쟁사들을 앞지르며 첨단 반도체 생산의 새로운 기준을 제시하는 데 중요한 역할을 했습니다.

새로운 산업 표준 설정: 하이닉스의 고NA EUV 통합

DRAM 분야의 선도적인 제조업체로서 위하이닉스는 포괄적인 솔루션과 거대 기술 기업 엔비디아와의 중요한 협력 파트너십을 통해 차별화된 경쟁력을 확보해 왔습니다.최근 이천에 위치한 M16 공장에 ASML의 High-NA 장비를 도입한 것은 기술적으로 중요한 도약을 의미합니다.이러한 선구적인 행보는 위하이닉스를 반도체 혁신의 선두에 서게 할 뿐만 아니라 차세대 DRAM 기술 개발의 길을 열어줄 것입니다.

ASML의 고개방(NA) EUV 제품 라인의 첫 양산 모델인 TWINSCAN EXE:5200B는 트랜지스터 프린팅 성능을 1.7배 더 작은 크기로 향상시킵니다.이러한 개선을 통해 개구수(NA)가 0.33에서 0.55로 40% 향상되어 기존 EUV 시스템 대비 트랜지스터 밀도가 2.9배 향상됩니다.

더불어, 하이닉스는 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고, 기술 리더십을 강화하는 데 힘쓰고 있습니다.

삼성, 다음 분기까지 자사 최초의 고NA EUV 리소그래피 장비 확보…2025년 말 상용화 예상 — 이미지 출처: ASML

궁극적으로, 위하이닉스의 고개수 EUV 기술 도입 성공은 단순히 기술력을 입증하는 것이 아니라, 반도체 시장에서 혁신과 경쟁력을 향한 회사의 끊임없는 노력을 보여줍니다.위하이닉스는 첨단 기술을 지속적으로 도입함으로써 메모리 제조 분야의 경쟁을 심화시키는 동시에 탁월한 제품을 제공하겠다는 약속을 재확인합니다.

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