SK하이닉스, 스마트폰·태블릿 AI 성능 강화 위해 DRAM·낸드 적층 칩 활용한 고대역폭 스토리지(HBS) 개발

SK하이닉스는 수직 와이어 팬아웃(VFO)이라는 혁신적인 기술을 활용하여 최대 16단의 DRAM과 NAND 칩을 적층함으로써 데이터 처리 속도에 혁신을 가져올 예정입니다.이 기술은 다양한 전자 기기의 성능 향상에 필수적입니다.

VFO는 데이터 전송 효율성을 향상시킵니다.

ETNews 보도에 따르면, 고대역폭 스토리지(HBS)의 성공은 VFO 패키징 방식에 크게 좌우됩니다.2023년 위하이닉스가 도입한 이 기술은 DRAM과 NAND 칩 스택을 기존의 곡선형 와이어 본딩 방식 대신 직선 형태로 연결합니다.이러한 구조는 데이터 전송 손실을 최소화하고 데이터 전송 효율을 향상시킵니다.특히 스마트폰과 태블릿에서 생성적 AI가 보편화됨에 따라 이러한 기술은 더욱 중요해지고 있습니다.

SK하이닉스, 스마트폰·태블릿 AI 성능 강화 위해 고대역폭 스토리지 개발 — 최신 기기에서 고대역폭 저장소 구현.

VFO의 장점은 주목할 만합니다. VFO는 배선 거리를 크게 줄이고 신호 전송 손실 및 지연을 최소화함으로써 더 많은 I/O 연결을 지원합니다.이러한 개선 사항의 조합은 데이터 처리 성능을 크게 향상시킵니다. HBS는 스마트폰 칩셋과 원활하게 작동하도록 설계되었으며, 칩셋은 기기의 로직 보드에 통합될 예정입니다.지원되는 시스템온칩(SoC)에 대한 자세한 정보는 아직 부족하지만, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro는 LPDDR6와 UFS 5.0 기술을 모두 지원할 것으로 예상되어 HBS의 강력한 후보가 될 것입니다.

제조업체를 위한 고대역폭 스토리지의 비용 영향

HBS의 가장 큰 장점 중 하나는 고대역폭 메모리(HBM)에 비해 제조 비용이 저렴하다는 것입니다.칩을 물리적으로 관통하는 TSV(Through Silicon Via) 기술이 필요한 HBM과 달리, HBS는 이러한 필요성을 없애줍니다.결과적으로 생산 수율 향상과 전체 비용 절감으로 이어지며, 이는 HBS 저장 솔루션을 도입하려는 제조업체에게 매력적으로 다가갈 것으로 예상됩니다.

반면, 애플은 향후 출시될 기기에 HBM과 TSV를 활용하여 iPhone에서 더욱 강력한 AI 기능을 구현할 계획이라고 합니다.이러한 맥락에서 애플이 이미 HBS를 향후 모델의 잠재적 저장 장치로 검토하고 있다는 것은 놀라운 일이 아닙니다.

자세한 내용은 ETNews 보고서를 참조하세요.

자세한 내용과 이미지는 Wccftech 소스에서 확인하세요.