마이크론 테크놀로지는 10nm급 DRAM 노드를 기반으로 한 획기적인 6세대 DDR5 메모리를 출시하면서 화제를 모았습니다.이 개발로 마이크론은 산업 및 소비자 시장의 최전선에 서게 되었습니다.
마이크론의 6세대 DRAM을 통한 향상된 효율성 및 성능
보도자료 : Micron Technology, Inc.는 흥미로운 발표에서 업계 최초로 1γ(1-감마), 6세대 DDR5 메모리 샘플 배송을 시작했다고 밝혔습니다.이 차세대 DRAM은 고급 CPU에 맞춰 제작되었으며 처음에는 일부 고객과 에코시스템 파트너에게 배포됩니다.1α(1-알파) 및 1β(1-베타) 노드를 통한 이전 발전을 바탕으로 Micron은 클라우드 인프라에서 산업용 애플리케이션, 소비자 기기 및 스마트폰과 스마트 차량과 같은 Edge AI 기술에 이르기까지 차세대 컴퓨팅을 강화할 준비가 되었습니다.
Micron 1γ DRAM 노드의 초기 배포는 16Gb DDR5 DRAM을 활용하여 Micron의 메모리 포트폴리오 전체에 걸쳐 통합을 점진적으로 확장합니다.이 전략적 움직임은 특히 AI 애플리케이션에서 고성능, 에너지 효율적인 메모리 솔루션에 대한 산업의 증가하는 요구에 부응합니다.이 16Gb DDR5 제품은 최대 9200MT/s의 인상적인 속도 기능을 자랑하며, 이전 제품과 비교했을 때 속도가 15% 증가하고 전력 소비가 20% 이상 감소했습니다.
마이크론의 1γ DRAM 노드가 중요한 이유
고급 메모리 솔루션에 대한 수요는 데이터 센터와 네트워크 에지에서 AI의 증가와 함께 급증했습니다. Micron의 1γ DRAM 노드로의 전환은 고객이 직면한 몇 가지 중요한 과제를 해결합니다.
- 향상된 성능: Micron 1γ 기반 DRAM은 성능을 강화하여 다양한 메모리 제품에서 더 높은 컴퓨팅 성능을 구현할 수 있으며, 이는 향후 AI 워크로드에 필수적입니다.
- 전력 절감: 차세대 고-K 금속 게이트 CMOS 기술과 설계 개선 덕분에 1γ 노드는 전력 소비를 20% 이상 줄여 열 관리가 개선되었습니다.
- 비트 밀도 증가: EUV 리소그래피와 혁신적인 설계 개선을 활용하여 1γ 노드는 이전 세대에 비해 웨이퍼당 비트 출력을 30% 이상 증가시켜 메모리 공급의 효율적인 확장을 용이하게 합니다.
마이크론은 여러 세대에 걸쳐 DRAM 기술에 대한 광범위한 전문 지식을 활용하여 최적화된 1γ 노드를 개발했습니다.이 혁신은 CMOS 혁신에 의존하며 차세대 고-K 금속 게이트 기술을 활용합니다.이러한 발전은 트랜지스터 성능을 향상시키고 속도 기능을 개선하며 상당한 전력 절감과 확장성 향상을 가능하게 합니다.
최첨단 EUV 리소그래피와 고종횡비 에칭 기술 및 혁신적인 디자인을 통합함으로써 1γ 노드는 비교할 수 없는 비트 밀도 이점을 제공합니다.여러 글로벌 제조 현장에서 1γ 노드를 개발함으로써 Micron의 기술 발전과 공급망 회복력에 대한 의지를 더욱 강화합니다.
클라우드에서 엣지까지의 혁신적인 제품
1γ 노드는 마이크론의 전체 메모리 포트폴리오를 강화하는 기반 기술로 활용되어 다양한 분야에 영향을 미칠 것입니다.
- 데이터 센터: 데이터 센터용 1γ 기반 DDR5 메모리 솔루션은 최대 15% 향상된 성능과 향상된 에너지 효율성을 약속하며, 향후 랙 배포 시 최적화된 전력 및 열 설계를 위해 지속적인 서버 성능 확장이 가능합니다.
- Edge AI: 1γ 저전력 DRAM 솔루션은 에너지 절감을 강화할 뿐만 아니라 대역폭을 확대하여 Edge AI 애플리케이션에서 사용자 경험을 풍부하게 만듭니다.
- AI PC: 1γ DDR5 SODIMM은 성능을 개선하는 동시에 전력 소비를 20% 줄여 노트북의 배터리 수명을 효과적으로 연장하고 사용자 경험을 향상시킵니다.
- 모바일 기기: 마이크론은 1γ LPDDR5X를 출시함으로써 모바일 기술 분야를 선도하고 있으며, 엣지에서 뛰어난 AI 애플리케이션을 구현할 수 있게 되었습니다.
- 자동차: 1γ LPDDR5X 메모리는 용량, 내구성, 성능을 향상시켜 최대 9600MT/s의 속도를 달성합니다.
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