최근 보고서에 따르면 인텔의 18A 공정은 TSMC의 N2 기술과 비슷한 SRAM 밀도 수준을 달성했으며, 이는 인텔의 첨단 반도체 역량을 보여주는 중요한 이정표입니다.
인텔의 18A 프로세스와 BSPDN과 같은 혁신의 중요성
인텔 칩 아키텍처의 진화하는 개발과 함께 회사의 미래에 대한 낙관적인 분위기가 커지고 있습니다. International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)에서 최근 논의된 내용에 따르면 인텔과 TSMC는 SRAM 밀도 면에서 밀접하게 맞먹으며, 반도체 제조의 경쟁적 환경을 재편할 수 있는 주목할 만한 발전이 이루어지고 있습니다.
@ieee_isscc 세션 29 에 참석 : SRAM
1번째 논문: $TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM 2번째 논문: $INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM 3번째 논문: @Mediatek 3nm TCAM 4번째 논문: @Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM
그것은 배틀로얄이에요.
— 옘.𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 2025년 2월 19일
18A 공정이 제시하는 가능성을 더 깊이 파고들면서, 그 획기적인 혁신 중 하나인 BSPDN(Backside Power Delivery Network)을 강조하는 것이 필수적입니다.이 선구적인 기술은 전력 공급을 웨이퍼 전면에서 후면으로 재배치하여 전력 효율을 높이고 신호 무결성을 개선합니다.이 두 가지 모두 현대 반도체 성능에 중요한 요소입니다.
인텔의 18A 고밀도 버전은 대규모 어레이 구성에서 38.1Mb/mm²의 인상적인 매크로 비트 밀도를 달성하는 것으로 보고되고 있습니다. SRAM 셀 배열의 변화가 밀도 결과에 영향을 미칠 수 있지만 18A 공정에 대한 전망은 상당히 긍정적으로 보입니다.그러나 이 새로운 기술의 효과를 완전히 평가하려면 실제 칩 생산 성능, 특히 수율률을 모니터링하는 것이 중요합니다.
한편, TSMC는 N2 공정에서도 진전을 이루었으며, Gate-All-Around(GAA) 기술로 전환하여 SRAM 밀도가 12% 증가했습니다.고성능 SRAM의 개선 사항은 밀도가 18%나 증가했습니다.이러한 개선의 핵심은 기존 FinFET에서 N2 “나노시트” 구조로 전환하여 제조 공정에서 더 큰 맞춤화와 정밀성을 제공하는 데 있습니다.
TSMC와 인텔 간의 경쟁이 치열해지고 있으며, 반도체 혁신에 더욱 치열한 환경이 예상된다.그러나 이러한 발전의 궁극적인 시험은 공급망과 실제 시장 성과에 통합되는 데 있다.
답글 남기기 ▼