최근 보도에 따르면 삼성은 예상했던 3가지 대신 4가지 변형 Galaxy S25 시리즈를 출시할 예정입니다. 여기에는 “Slim”이라는 완전히 새로운 모델이 포함될 것입니다. Galaxy S25 Slim에 대한 초기 증거는 최근 벤치마크 유출을 통해 나타났으며, Qualcomm의 고급 Snapdragon 8 Elite 칩셋을 특징으로 할 것임을 나타냅니다. 주목할 점은 Snapdragon 8 Elite는 슬림한 디자인에도 불구하고 약간 더 높은 주파수에서 실행되는 성능 코어를 자랑합니다. 그러나 벤치마크 테스트의 예비 점수는 새로운 플래그십의 성능 측면이 문제가 있음을 보여줍니다.
Geekbench 6 결과는 Galaxy S25 Slim의 혼합된 성능을 나타냅니다.
모델 번호 SM-S937U로 식별되는 Galaxy S25 Slim은 이전 유출에서 테스트된 표준 Galaxy S25 모델과 마찬가지로 12GB RAM이 장착됩니다. Snapdragon 8 Elite에는 4.47GHz에서 작동하는 두 개의 성능 코어가 포함되어 있고 효율성 코어는 3.53GHz에서 클록됩니다. Galaxy S25 Slim의 내부 사양은 최대 16GB RAM을 제공할 수 있는 Galaxy S25 Ultra를 제외하고 나머지 라인업과 긴밀하게 일치한다는 점에 주목할 가치가 있습니다.
그러나 원시 사양이 기기 성능의 유일한 지표는 아닙니다. 최신 Geekbench 6 평가에서 Galaxy S25 Slim은 단일 코어 점수에서 희망을 보였지만 멀티 코어 성능에서는 비틀거렸습니다. 단일 코어 점수는 3,005로 Galaxy S25의 이전 결과보다 약간 개선되었지만 여전히 오차 범위에 가깝습니다. 반면 멀티 코어 점수는 6,945로 상당히 낮아 이러한 결과의 의미에 대한 의문이 제기되었습니다. 얇은 섀시가 이러한 실망스러운 성능의 원인일 수 있는데, Snapdragon 8 Elite가 빠르게 가열되고 집중적인 작업에서 속도가 느려질 수 있기 때문입니다.
Geekbench 6는 지속적인 성능보다는 단기적인 성능 폭발을 주로 테스트한다는 것을 인식하는 것이 중요합니다. 우리의 초기 평가는 Galaxy S25 Slim의 성능에 영향을 미치는 다른 요소, 특히 얇은 폼 팩터를 간과했을 수 있습니다. 삼성이 1월 22일에 이 새로운 시리즈를 공식 공개할 준비를 하는 가운데, 소비자와 애호가 모두 4개 모델 모두에 대한 포괄적인 성능 평가를 보고 싶어합니다. 출시일이 다가오면서 추가 업데이트를 계속 주시하세요.
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