최근 열린 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 글로벌 서밋에서 삼성은 고대역폭 메모리(HBM), 특히 곧 출시될 HBM4E 기술의 괄목할 만한 발전을 공개하며 메모리 제조 분야의 선두주자로 떠올랐습니다.이 차세대 메모리는 이전 세대보다 획기적으로 향상된 성능을 제공할 것으로 기대됩니다.
삼성 HBM4E: 비교할 수 없는 속도로 메모리 기술의 도약
삼성은 HBM 제품군을 적극적으로 발전시켜 왔으며, 최근 NVIDIA, AMD 등 주요 업체와 중요한 계약을 체결했습니다. OCP 행사에서 삼성은 HBM4와 차세대 HBM4E의 뛰어난 사양을 강조하며 HBM 시리즈의 미래 방향을 제시했습니다.특히 HBM4E는 스택당 13Gbps의 핀 속도를 구현하여 3.25TB/s라는 놀라운 대역폭을 제공하며, 이는 성능 지표 측면에서 상당한 향상을 의미합니다.
또한, HBM4E 모듈은 뛰어난 전력 효율을 자랑하며 기존 HBM3E보다 거의 두 배 높은 효율을 달성한 것으로 알려졌습니다.삼성의 HBM4 공정 또한 새로운 기준을 제시하며 핀 속도 11Gbps를 달성하여 JEDEC과 같은 기관에서 정의한 기존 표준을 능가했습니다.이러한 획기적인 발전은 루빈 아키텍처의 성능 향상을 위해 향상된 HBM4 솔루션에 대한 엔비디아의 요구와 일치하며, 현지 언론에 따르면 삼성은 이러한 발전을 선도했습니다.
HBM3E 분야에서 경쟁사들에 비해 뒤처졌던 삼성전자는 HBM4 개발 초기부터 더 높은 대역폭을 적극적으로 추구해 왔습니다. HBM4 속도 경쟁이 승승장구함에 따라, 삼성전자는 차세대 HBM4로의 도약을 위한 모멘텀을 유지하는 것을 전략으로 삼고 있습니다.- Sedaily
성능 향상 외에도 삼성은 엔비디아와 같은 기업에 HBM4를 공급할 때 경쟁력 있는 가격 구조를 구축하는 데 주력하고 있습니다.첨단 반도체 기술(4nm)이 HBM4의 핵심 요소인 만큼, 삼성의 자체 파운드리 역량을 통해 이러한 모듈 생산에 대한 수익성을 더욱 효과적으로 관리할 수 있습니다.
HBM4E의 시장 출시는 HBM4 기술의 양산 일정과 맞물려 2026년 초에 시작될 것으로 예상됩니다.
자세한 내용은 뉴스 출처인 Sedaily 를 참조하세요.
답글 남기기