삼성 파운드리 부문의 수익성 확보는 첨단 2nm GAA(Gate-All-Around) 제조 공정을 위한 다양한 고객 확보에 달려 있습니다.현재 Exynos 2600은 이 최첨단 리소그래피 기술을 사용하여 양산되는 선구적인 시스템온칩(SoC)입니다.특히 테슬라는 이 협력의 일환으로 삼성과 수십억 달러 규모의 대규모 파트너십을 체결했습니다.최근 보도에 따르면 중국 기업 두 곳이 차기 암호화폐 채굴 제품에 삼성의 2nm GAA 칩을 주문할 예정이라고 합니다.이는 삼성의 전략이 진전을 보이고 있음을 시사하지만, 업계 선두주자인 TSMC와의 치열한 경쟁은 여전히 진행 중입니다.
비트메인, 삼성 2nm GAA 칩에 여전히 불신, TSMC와의 파트너십 지속
한국경제신문에 따르면, 삼성의 2nm GAA 기술 도입에 나선 두 중국 기업은 마이크로BT와 캐넌입니다.이 두 회사는 각각 암호화폐 채굴 시장에서 2위와 3위를 차지하고 있으며, 비트메인은 1위를 차지하고 있습니다.마이크로BT와 캐넌의 주문이 증가하고 있음에도 불구하고, 비트메인은 아직 삼성과 접촉하지 않고 TSMC와의 협력을 유지하는 것을 선호합니다.이러한 선호는 TSMC가 적시 납품, 최신 기술 접근성, 그리고 높은 수율 등 생산 관련 과제를 관리하는 검증된 역량으로 명성이 높기 때문으로 보입니다.삼성의 새로운 GAA 기술은 아직 검증이 필요한 부분입니다.
마이크로BT는 이미 주문 생산을 시작했으며, 카난은 2026년 초까지 초기 실리콘 생산을 시작하여 내년 하반기에 납품할 계획입니다.두 회사의 주문은 모두 경기도 화성에 위치한 삼성 S3 공장에서 생산될 예정입니다.
현재 주문량은 삼성의 2nm 공정 총 생산 능력의 약 10%에 해당하며, 현재 삼성은 월 약 2, 000장의 300mm(12인치) 웨이퍼를 생산하고 있습니다.이 정도 규모는 미미해 보일 수 있지만, TSMC와의 직접 경쟁에 대한 삼성의 의지를 보여줍니다.삼성은 이 최첨단 리소그래피 기술에 대한 고객 기반을 확대하기 위한 모든 기회를 적극적으로 모색하고 있습니다.
이전 업데이트에서 2nm 공정으로 제조된 Snapdragon 8 Elite Gen 5 샘플이 테스트를 위해 Qualcomm으로 전송되었다고 언급되었습니다.삼성을 포함한 듀얼 소싱 전략은 2026년 말로 예정된 Snapdragon 8 Elite Gen 6 출시를 통해서만 구체화될 것으로 예상됩니다. TSMC와 보조를 맞추기 위해 삼성은 2세대 2nm GAA 공정의 기본 설계를 완료했으며, SF2P+라고 하는 세 번째 공정 개발도 진행 중인 것으로 알려졌습니다.
삼성의 2nm GAA 기술 제조 전략에는 텍사스주 테일러에 위치한 공장 건설 계획이 포함되어 있습니다.최근 보도에 따르면 ASML은 차세대 웨이퍼 생산에 필요한 장비 설치를 위한 팀을 구성하고 있습니다.이러한 구성을 통해 텍사스 공장은 2027년까지 월 15, 000장 이상의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 것으로 예상됩니다.
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