최근 보고서에서는 삼성의 반도체 기술, 특히 2nm GAA(Gate-All-Around) 공정의 상당한 발전을 강조했습니다.이 혁신적인 제조 기술은 전력 누설을 최소화하는 놀라운 능력을 보여주었고, 이는 Geekbench 6 벤치마크에서 A19 Pro와 비교했을 때 Exynos 2600 칩셋의 인상적인 에너지 효율 향상으로 이어졌습니다.그럼에도 불구하고, 칩셋은 낮은 전력 소비에도 불구하고 부적절한 냉각 솔루션으로 인해 여전히 높은 온도를 발생시킬 것으로 예상되었습니다.다행히 삼성은 열 관리를 향상시키기 위해 독점적인 ‘Heat Pass Block’ 기술을 통합했으며, 이 솔루션은 제23회 국제 마이크로 전자 패키징 심포지엄에서 강조되었습니다.삼성 임원은 이 혁신이 Exynos 2600의 작동 온도를 최대 30%까지 낮출 수 있다는 통찰력을 공유했습니다.
열 효율 및 성능 최적화
삼성전자 패키지 개발팀장 김대우 전무는 패키징의 개념이 진화하고 있다고 말했습니다.그는 “패키징은 더 이상 엔드 투 엔드(end-to-end) 프로세스가 아니라 시스템 혁신의 시작점”이라고 강조하며, 개별 칩 성능에만 집중하기보다는 전체 시스템을 최적화하는 통합적인 접근 방식을 지지했습니다.엑시노스 2600의 내부 테스트 결과, 멀티 코어 시나리오에서 A19 Pro보다 약 14% 높은 성능을 보였으며, GPU는 무려 75%의 속도 향상을 보였습니다.
최근 Geekbench 6 유출에 따르면, 삼성의 최첨단 2nm GAA SoC는 애플 M5의 싱글 코어 성능 벤치마크와 유사하다고 합니다.그러나 온라인에 유포되고 있는 이 결과의 진위 여부에 대한 논란이 있습니다.만약 이 수치가 사실이라면, 삼성의 히트 패스 블록(Heat Pass Block) 기술이 낮은 온도 유지에 중요한 역할을 했을 가능성이 높으며, 이를 통해 Exynos 2600은 더 높은 CPU 및 GPU 클럭 속도에서 작동할 수 있게 되었고, 이는 벤치마크 평가에 긍정적인 영향을 미칠 것입니다.
히트 패스 블록 기술의 중요성
히트 패스 블록(Heat Pass Block) 기술의 통합은 Exynos 시리즈에 있어 매우 중요한 기술입니다.이 기술은 DRAM이 SoC 다이 바로 위에 위치하는 기존 Exynos 칩셋의 공통적인 문제점을 해결합니다.과부하 상황에서는 이러한 배치가 과도한 열 발생을 초래할 수 있으며, 이는 열 제어를 가속화하는 요인입니다.히트 패스 블록은 소형 수동 방열판과 유사한 기능을 하며, 칩셋 다이에서 발생하는 열을 더욱 효율적으로 방출하도록 전략적으로 배치됩니다.
Exynos 2600은 이러한 혁신적인 열 관리 솔루션을 보완하는 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징(FOWLP) 기술을 채택하여 열 저항을 더욱 강화하고 멀티 코어 성능을 향상시킵니다.2nm GAA 공정의 이점과 더불어 이러한 발전은 칩셋의 전반적인 효율을 크게 향상시킵니다.
더 자세한 내용을 알고 싶으면 출처를 확인하세요: ETNews.
추가 소스와 이미지는 Wccftech 에서 확인할 수 있습니다.
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