중국 반도체 산업의 중요한 진전을 이루기 위해 화웨이는 최첨단 3nm 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 개발할 태세를 갖추고 있습니다.이 이니셔티브는 화웨이의 글로벌 시장에서의 경쟁력 강화를 목표로 합니다.
화웨이, 하이엔드 칩 개발로의 야심찬 전환
혁신의 강자로 인정받는 화웨이는 모바일 기술을 넘어 제품 다각화에 상당한 진전을 이루었습니다.현재 화웨이는 인공지능과 컴퓨팅 분야에 막대한 투자를 통해 서구 거대 기술 기업들에 맞서는 강력한 경쟁자로 자리매김하고 있습니다.대만 경제일보(Taiwan Economic Daily) 보도 에 따르면, 화웨이는 SMIC가 개발한 중국산 5nm 공정을 활용한 기린 X90 시스템온칩(SoC)의 성공에 힘입어 3nm GAA 기술 연구 개발에 착수했습니다.
화웨이가 3nm 노드에 GAA 아키텍처를 전략적으로 선택한 것은 기존 실리콘 트랜지스터 설계에서 벗어나 혁신적인 “2차원” 소재를 선호함을 보여줍니다.이러한 혁신적인 접근 방식은 성능을 향상시키면서 전력 소비를 줄여 칩 설계 효율성에 대한 새로운 기준을 제시할 수 있습니다.특히 삼성 파운드리는 3nm GAA 설계를 성공적으로 구현한 유일한 기업으로, 업계 선두 기업 간의 잠재적 협력 가능성에 대한 의문을 제기하고 있습니다.
화웨이는 첨단 노드 외에도 3nm 칩에 “탄소 기반” 설계를 적용하여 기존 실리콘 트랜지스터의 매력적인 대안으로 탄소 나노튜브를 활용하는 방안을 모색하고 있습니다.이러한 실험은 칩 기술의 경계를 확장하려는 화웨이의 의지를 보여줍니다.현재 계획은 아직 초기 단계에 있지만, 화웨이가 야심 차고 때로는 중단되기도 했던 프로젝트들을 살펴보면 그 잠재력에 대한 신중한 낙관론을 엿볼 수 있습니다.5nm 공정 분야에서의 성과, 특히 이러한 공정을 소비자 제품에 통합하는 데 성공한 것을 고려하면, 향후 더 많은 혁신을 기대하는 것은 당연합니다.
화웨이는 반도체 시장에서 입지를 강화하면서 공급망을 효과적으로 수직화하여 서구 기술 기업과의 경쟁 역량을 강화했습니다.지속적인 발전과 함께 기술 분야에서 미국과 중국 간의 지정학적 역학 관계는 변혁의 조짐을 보이고 있습니다.
답글 남기기 ▼