
Micron Technology 社は最近、史上最速の 11 Gbps 高帯域幅メモリ (HBM4) DRAM を出荷し、次世代 HBM4E の開発に向けて TSMC 社と提携することを詳細に発表し、メモリ市場における大きな進歩を発表しました。
業界をリードするHBM4テクノロジーと新たなパートナーシップ
マイクロンは最新の第4四半期および2025年度決算発表において、DRAMおよびNANDフラッシュ事業に関する重要な最新情報を発表しました。同社は第4四半期の売上高が113.2億ドルとなり、前四半期の93億ドルから大幅に増加し、印象的な業績を達成しました。さらに、通期の総売上高は251.1億ドルから373.8億ドルへと大幅に増加しました。同社は業績のさらなる向上を目指し、次世代メモリソリューションに注力しています。


HBM4の開発について、Micronは、12-Hi HBM4 DRAMソリューションが、業界における高まるパフォーマンス需要に対応できる体制が整っていると述べました。同社は、11Gbpsを超えるピン速度と2.8TB/sという驚異的な帯域幅を誇る高性能HBM4の初期サンプル出荷に成功しました。Micronは、HBM4メモリがパフォーマンスと効率の両面で市場をリードし、すべての競合他社を凌駕すると主張しています。
HBMシェアが再び成長軌道に乗り、第3四半期にはDRAM全体のシェアと同水準となり、数四半期にわたり議論してきた目標を達成できたことを嬉しく思います。Micron TechnologyのHBM4 12-hiは、HBM4の帯域幅とピン速度に対する性能要件が高まっているにもかかわらず、お客様のプラットフォームの立ち上げをサポートするために順調に進んでいます。
当社は最近、業界をリードする2.8TB/sを超える帯域幅と11Gbpsを超えるピン速度を備えたHBM4のサンプルをお客様に出荷しました。Micron TechnologyのHBM4は、業界をリードするパフォーマンスとクラス最高の電力効率を実現し、競合するすべてのHBM4製品を凌駕する性能を備えていると考えています。実績のある1ガンマDRAM、革新的で電力効率の高いHBM4設計、自社開発の先進CMOSベースダイ、そして先進的なパッケージング技術が、このクラス最高の製品を実現する重要な差別化要因となっています。
サンジェイ・メロトラ – マイクロン社長兼CEO
MicronはHBM4に加え、近日発売予定のHBM4Eメモリについても発表しました。この新バージョンは、ベースロジックダイの製造においてTSMCと提携しており、完全に自社開発されているHBM4とは異なります。HBM4Eの標準バージョンとカスタムバージョンの両方が開発中で、2027年の発売が予定されています。
HBM4Eについては、Micron Technologyはベースロジックダイの標準製品に加え、カスタマイズオプションも提供します。HBM4Eベースロジックダイの製造については、TSMCと提携し、標準製品とカスタマイズ製品の両方に対応しています。カスタマイズにはお客様との緊密な連携が不可欠であり、カスタマイズされたベースロジックダイを搭載したHBM4Eは、標準HBM4Eよりも高い粗利益率を実現できると期待しています。HBMの顧客基盤は拡大し、現在6社に上ります。
当社は、2026暦年のHBM3E供給の大部分について、ほぼすべての顧客と価格契約を締結しています。当社はHBM4の仕様と数量について顧客と活発に協議しており、今後数か月以内に2026暦年のHBM総供給量の残りを完売するための契約を締結する予定です。
サンジェイ・メロトラ – マイクロン社長兼CEO

さらに、Micronは、データセンターへのLPDDRメモリ導入においてNVIDIAとの提携を強調し、このメモリタイプの独占サプライヤーとしての地位を確立しました。同社はまた、AIとクライアントアプリケーションの両方を対象としたGDDR7メモリの進化も発表し、将来モデルでは40Gbpsを超える速度を実現すると見込んでいます。現在、GDDR7テクノロジーを採用しているGPUメーカーはNVIDIAのみであり、当初の展開では32Gbpsのピン速度で展開されます。
MicronはNVIDIAとの緊密な連携により、サーバー向けLPDRAMの採用を先導してきました。NVIDIAがGB製品ファミリーにLPDRAMを搭載して以来、Micronはデータセンター向けLPDRAMの唯一のサプライヤーとなっています。HBMおよびLP5におけるリーダーシップに加え、MicronはGDDR7製品においても優位な立場にあります。これらの製品は、40Gbpsを超えるピン速度による超高速性能と、将来のAIシステムのニーズに対応するクラス最高の電力効率を実現するように設計されています。
サンジェイ・メロトラ – マイクロン社長兼CEO
最後に、Micronの1γ DRAMノードに関しては、エキサイティングな開発が進行中です。成熟歩留まりは前世代と比べて大幅に短縮され、約50%も高速化しています。同社はG9 NANDの生産も順調に進んでおり、データセンターへのPCIe Gen6 SSDの導入でリーダーシップを確立し、16Gb 1γ DRAMを搭載したより革新的なソリューションの提供を約束しています。
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