SK hynix avvia la produzione di massa di memorie Flash NAND QLC a 321 strati per PC con l’innovativa tecnologia di impilamento a 32 strati

SK hynix ha annunciato ufficialmente l’inizio della produzione di massa della sua innovativa soluzione di archiviazione QLC NAND Flash a 321 strati, caratterizzata da una straordinaria capacità di impilamento fino a 32 strati.

Presentazione della memoria flash NAND QLC a 321 strati di We Hynix: una nuova era nella tecnologia di storage

Questo sviluppo rappresenta una pietra miliare significativa, in quanto è il primo caso al mondo a implementare oltre 300 livelli utilizzando la tecnologia QLC (Quad-Level Cell), stabilendo uno standard senza precedenti per la densità della memoria flash NAND. L’azienda punta a lanciare questo prodotto innovativo nella prima metà del prossimo anno, in attesa della validazione da parte dei clienti globali.

“Faremo un grande passo avanti come fornitore di memoria AI full-stack, in linea con la crescita esponenziale della domanda di AI e dei requisiti ad alte prestazioni nel mercato dei data center.”

Vista anteriore e posteriore del chip di memoria SK Hynix, modello H25T4QM88G.

Per contrastare i potenziali problemi di prestazioni che spesso accompagnano le tecnologie NAND ad alta capacità, We Hynix ha migliorato il proprio design aumentando il numero di piani (unità operative indipendenti all’interno di un chip) da 4 a 6. Questa modifica non solo facilita una maggiore elaborazione parallela, ma migliora anche significativamente le capacità di lettura simultanea.

I progressi presentati dalla NAND QLC a 321 layer consentono una maggiore capacità e parametri prestazionali superiori rispetto alle precedenti iterazioni QLC. In particolare, la velocità di trasferimento dati è raddoppiata, con prestazioni in scrittura migliorate fino al 56% e prestazioni in lettura migliorate del 18%.Inoltre, l’efficienza energetica in scrittura è aumentata di oltre il 23%, un fattore cruciale per mantenere la competitività nei data center focalizzati sull’intelligenza artificiale, dove il risparmio energetico è essenziale.

Inizialmente, We Hynix prevede di integrare la sua tecnologia NAND a 321 strati negli SSD per PC, con piani per la successiva implementazione negli SSD aziendali (eSSD) per i data center e nelle soluzioni Universal Flash Storage (UFS) per gli smartphone.

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