SK Hynix sta facendo notizia con i suoi ambiziosi piani per il lancio della tecnologia DRAM 1c. Questo approccio innovativo è destinato a elevare gli standard prestazionali dei prodotti DDR5 e HBM, posizionando l’azienda come leader nel mercato dei chipset di memoria.
SK Hynix sfrutta EUV per le tecnologie DRAM di nuova generazione per aumentare rendimenti e prestazioni
Si prevede che questa iniziativa strategica migliorerà significativamente l’offerta di We Hynix nei settori delle memorie consumer e HBM. Ancora più importante, apre la strada ai progressi nelle tecnologie DRAM di prossima generazione, che probabilmente integreranno metodi EUV ad alta NA.
Per chi non ha familiarità con la litografia ultravioletta estrema (EUV), è importante notare che questa tecnica comporta processi complessi. Operando a una lunghezza d’onda di 13, 5 nm, basata sulla precisione, l’EUV mira ad affrontare complesse sfide circuitali consentendo la creazione di caratteristiche più fini e riducendo al minimo la necessità di più fasi di modellazione.
L’introduzione prevista della DRAM 1c, in particolare con la sua integrazione in HBM4, promette di apportare significativi miglioramenti delle prestazioni nel prossimo futuro.
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