Tecnologia GAA a 2 nm di Samsung: gli analisti prevedono una resa migliorata con l’avvio della produzione di massa tra 10 mesi

Il percorso di Samsung per migliorare le rese del suo rivoluzionario processo Gate-All-Around (GAA) da 3 nm è stato costellato da numerose sfide, gettando dubbi sulla sua capacità di passare senza problemi alla produzione di massa di wafer GAA da 2 nm.È interessante notare che l’azienda ha dimostrato resilienza, sfidando le aspettative in mezzo alle avversità.

Analisi recenti evidenziano un netto miglioramento nella resa di Samsung per i suoi nodi all’avanguardia, notando che i progressi compiuti superano i limiti che affliggevano la sua tecnologia a 3 nm. Tuttavia, l’azienda deve continuare a impegnarsi per l’eccellenza, poiché il tempo stringe.

Stato attuale della resa del processo GAA a 2 nm di Samsung

Nei report precedenti, è stato rivelato che le rese iniziali di Samsung durante la fase di prova per il suo SoC Exynos di prossima generazione si attestavano su un modesto 30 percento per il processo GAA a 2nm. In confronto, TSMC, il principale concorrente di Samsung, ha raggiunto una notevole resa del 60 percento nella sua stessa produzione di prova, ampliando il divario tecnologico tra i due giganti del settore. Tuttavia, le prestazioni di Samsung durante la produzione di prova del prossimo Exynos 2600 dimostrano progressi significativi, con rese che hanno raggiunto il 30 percento.

Sebbene ci siano stati notevoli progressi, Samsung ha ancora molto lavoro da fare prima di poter presentare con orgoglio questa tecnologia avanzata ai potenziali clienti e recuperare la quota di mercato perduta. Con la crescente pressione, la tempistica è critica; i report indicano che Samsung ha circa 10 mesi rimasti per avviare la produzione effettiva di wafer GAA da 2 nm. Gli analisti sono ottimisti, riconoscendo che se le tendenze attuali continuano, Samsung potrebbe generare rendimenti sufficienti per attrarre potenziali clienti.

Inoltre, entro il quarto trimestre dell’anno scorso, la divisione fonderia di Samsung aveva avviato l’installazione delle apparecchiature necessarie per stabilire una linea di produzione GAA da 2 nm all’interno dello stabilimento S3 di Hwaseong. La strategia prevede l’adattamento dell’attuale linea GAA da 3 nm, che produce circa 15.000 fogli al mese utilizzando wafer da 12 pollici, in una linea di produzione dedicata da 2 nm. La produzione di prova potrebbe avvenire già quest’anno e verranno forniti aggiornamenti per tenere informati i lettori sui progressi o sulle battute d’arresto di Samsung.

Per ulteriori dettagli, fare riferimento al rapporto originale di Chosun.

Fonte: WccfTech