Le attuali sfide di Samsung nel settore dei semiconduttori sono legate in modo significativo alle difficoltà con i tassi di rendimento, in particolare nell’adozione della tecnologia Gate-All-Around (GAA) a 3 nm. Nonostante questa battuta d’arresto, l’azienda punta a una ripresa strategica concentrando i propri sforzi sul prossimo nodo GAA a 2 nm. Alcuni report indicano che Samsung ha scelto di dare priorità a questo processo produttivo rispetto al suo nodo a 1, 4 nm, in ritardo, per recuperare il business da partner persi come Qualcomm. Tuttavia, raggiungere la parità competitiva con TSMC richiederà molto tempo; l’azienda sta lavorando per stabilizzare i tassi di rendimento al 60-70% entro la fine dell’anno.
Qualcomm rinnova l’interesse per la tecnologia GAA a 2 nm di Samsung per Snapdragon 8 Elite Gen 2
Dall’annuncio dei risultati del primo trimestre 2025, Samsung si è concentrata sulla stabilizzazione delle rese del suo processo GAA a 2 nm. L’azienda prevede di avviare la produzione su larga scala nella seconda metà del 2025. Sebbene gli attuali tassi di resa si aggirino intorno al 30%, un livello inferiore a quello ottimale, Samsung punta a portarli presto al 50%, con l’aspettativa di un ulteriore incremento al 60-70% entro la fine dell’anno, secondo quanto riportato da The Bell.
Anche se Samsung riuscisse a raggiungere i suoi obiettivi di rendimento, questo successo dipenderebbe dal ripristino delle partnership con clienti chiave come Qualcomm. Contrariamente alle precedenti credenze secondo cui Qualcomm avesse ritirato gli ordini da Samsung, recenti rapporti suggeriscono che il produttore di chip californiano stia ancora sfruttando la tecnologia GAA a 2 nm di Samsung per il progetto Snapdragon 8 Elite Gen 2, precedentemente circolato con il nome in codice Kaanapali S.
Considerate le difficoltà finanziarie di Samsung dovute alla mancanza di ordini di chip, l’urgenza di risolvere le proprie problematiche operative è evidente. Per dimostrare il suo impegno nella costruzione di collaborazioni proficue nel mercato dei semiconduttori ad alto rischio, l’azienda ha completato la progettazione fondamentale del suo nodo GAA a 2 nm di seconda generazione. Inoltre, Samsung prevede di integrare la sua tecnologia GAA a 2 nm di terza generazione, denominata SF2P+, entro i prossimi due anni. Tuttavia, è fondamentale che questi progressi si traducano in nuovi ordini da parte dei clienti.
Per ulteriori approfondimenti, fare riferimento all’articolo dettagliato su The Bell.
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