Samsung potenzia il processo GAA a 2 nm concentrandosi su rendimenti ed efficienza dei costi per competere con TSMC; si prevede che la domanda di chip durerà quattro anni

Il dominio di mercato di TSMC e le aspirazioni di Samsung

Attualmente, TSMC è leader indiscusso nel settore dei semiconduttori, soprattutto in vista dell’intensificazione della produzione della sua tecnologia all’avanguardia a 2 nm entro la fine dell’anno. Tuttavia, gli analisti ritengono che, con tempo e risorse adeguati, Samsung possa affermarsi come un concorrente formidabile con la sua tecnologia Gate-All-Around (GAA) a 2 nm. Questo percorso presenterà senza dubbio sfide significative, ma i report suggeriscono che la fonderia coreana sta compiendo notevoli progressi nel miglioramento delle sue capacità litografiche di nuova generazione. Si prevede che l’impennata della domanda di chip prodotti utilizzando questo nodo durerà almeno quattro anni, fornendo a Samsung ampi incentivi per espandere le proprie capacità produttive.

La strategia cauta di Samsung verso la tecnologia GAA a 2 nm

Alla luce degli attuali ostacoli relativi ai livelli di resa dei GAA a 2 nm, Samsung sta adottando un approccio misurato nel tentativo di affermarsi come una valida alternativa a TSMC. La decisione strategica dell’azienda di ritardare il lancio del suo processo a 1, 4 nm a favore di un focus concentrato sulla tecnologia GAA a 2 nm sembra essere azzeccata. Come riportato da Chosun, Samsung mira a sviluppare diverse varianti di questo processo avanzato, in linea con la crescente domanda di chip ad alte prestazioni.

L’esperto del settore @Jukanlosreve afferma che Samsung prevede una domanda sostenuta di wafer GAA da 2 nm per almeno tre anni, durante i quali l’azienda darà priorità anche alla gestione termica e all’ottimizzazione delle metriche prestazionali.

Affrontare le sfide attuali e delineare i piani futuri

In precedenza, Samsung aveva implementato una strategia di “selezione e concentrazione” volta a migliorare i tassi di rendimento del suo processo GAA a 2 nm, con l’obiettivo di raggiungere un tasso di rendimento del 70%.Sebbene questo obiettivo sia ancora inferiore del 20-30% rispetto ai dati di rendimento di TSMC, rappresenta un miglioramento rispetto alle stime inizialmente conservative del management di Samsung. L’azienda si sta preparando per la produzione di massa, prevista per la seconda metà del 2025, e sta contemporaneamente incrementando la capacità produttiva presso il suo stabilimento di Pyeongtaek e altre sedi.

Sebbene i dettagli specifici riguardanti le successive iterazioni del nodo GAA a 2 nm rimangano scarsi, le speculazioni del settore suggeriscono che Samsung intenda lanciare processi di seconda generazione, con progetti preliminari già completati. Inoltre, l’iterazione di terza generazione, che si prevede sarà denominata “SF2P+”, è prevista per l’implementazione da parte di Samsung entro i prossimi due anni. Tuttavia, non è ancora chiaro se la produzione inizierà negli attuali siti produttivi o se in futuro verranno creati ulteriori impianti.

Creare fiducia e garantire ordini di mercato

Considerate le difficoltà incontrate da Samsung in passato, conquistare la fiducia dei potenziali clienti sarà fondamentale per il successo aziendale futuro. L’azienda potrebbe dover offrire prezzi competitivi per i suoi wafer GAA da 2 nm per attrarre nuovi contratti nel settore. Sebbene il panorama possa cambiare nei prossimi due anni, affermarsi nel mercato dei semiconduttori richiederà sforzi strategici e un impegno costante per la qualità.

Allo stato attuale, i progressi di Samsung indicano che la concorrenza in questo settore potrebbe intensificarsi; tuttavia, al momento, TSMC rimane il leader indiscusso nella produzione di semiconduttori.

Fonte della notizia: Chosun

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