Samsung inizia a reclutare personale dalla sede centrale per lo stabilimento di Taylor in Texas; il personale impiegato nella produzione di silicio indica un potenziale ordine importante

Dopo quasi un anno di calo delle attività dovuto alla riduzione degli ordini di chip, Samsung sembra aver voltato pagina nel suo stabilimento di Taylor, in Texas. Recenti sviluppi suggeriscono che l’azienda si stia preparando a un aumento significativo della produzione di semiconduttori. Un nuovo rapporto indica che personale specializzato, esperto in vari aspetti della produzione di silicio, verrà trasferito dalla sede centrale di Samsung allo stabilimento in Texas. Questa mossa strategica mira probabilmente ad accelerare la preparazione dell’impianto per la produzione su larga scala.

Samsung investe 17 miliardi di dollari nello stabilimento di Taylor, con l’obiettivo di completarlo nel 2026

L’impianto di Taylor rappresenta un investimento monumentale di 17 miliardi di dollari, il cui completamento è previsto per il 2026. Gran parte del personale trasferito in Texas proviene dalla sede centrale di Samsung per le infrastrutture globali. Come riportato da Fnnews e sottolineato da @Jukanlosreve, questi esperti possiedono una vasta conoscenza in aree critiche come lo sviluppo dei processi, la configurazione delle apparecchiature, l’ottimizzazione della resa e il controllo qualità, essenziali per il successo della produzione di chip al silicio.

“Molto del personale che verrà inviato questa volta allo stabilimento di Taylor sarà personale del Global Infrastructure Headquarters, un’organizzazione specializzata nella costruzione di infrastrutture, nonché personale addetto a processi di produzione inferiori a 3 nanometri (nanometri, 1 nm = 1 miliardesimo di metro).Si prevede che l’installazione e la verifica della resa saranno eseguite presso il sito statunitense, in base alle specifiche di prodotto del cliente.”

L’invio di questo personale esperto suggerisce che Samsung stia dando priorità al rapido completamento dell’impianto, potenzialmente per attrarre proficue partnership commerciali con aziende statunitensi interessate a effettuare ordini di chip consistenti. L’azienda prevede di iniziare la produzione nel primo trimestre del 2026, pianificando di produrre wafer Gate-All-Around (GAA) da 2 nm su scala industriale.

Nonostante le attuali stime di rendimento di circa il 30% per questa nuova tecnologia, Samsung ha già avviato la produzione di massa del prototipo del chip Exynos 2600 utilizzando il processo a 2 nm. Ulteriori report indicano che l’azienda punta a raggiungere un rendimento del 70% entro la fine dell’anno e ha completato i progetti fondamentali per il suo processo GAA a 2 nm di seconda generazione. Sono inoltre in corso i piani per l’introduzione del nodo GAA a 2 nm di terza generazione, noto come SF2P+, entro i prossimi due anni. Se le prestazioni di rendimento in tutte le iterazioni soddisferanno le aspettative, Samsung potrebbe posizionarsi in modo competitivo al fianco di TSMC nel mercato dei semiconduttori.

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