Samsung HBM4E promette un’impressionante larghezza di banda di 3,25 TB/s; quasi 2,5 volte più veloce di HBM3E, migliorando le prestazioni di elaborazione dell’intelligenza artificiale

Al recente Open Compute Project (OCP) Global Summit, Samsung si è distinta come azienda all’avanguardia nel settore della produzione di memorie, presentando significativi progressi nella tecnologia High Bandwidth Memory (HBM), in particolare nella sua futura tecnologia HBM4E. Questa nuova generazione di memorie promette notevoli miglioramenti rispetto alle precedenti.

HBM4E di Samsung: un balzo in avanti nella tecnologia della memoria con velocità senza pari

Samsung ha attivamente sviluppato la sua offerta HBM, aggiudicandosi di recente contratti fondamentali con importanti player come NVIDIA e AMD. All’evento OCP, l’azienda ha illustrato la futura traiettoria della sua serie HBM, sottolineando le straordinarie specifiche sia di HBM4 che della prossima generazione di HBM4E. In particolare, HBM4E è destinato a raggiungere velocità di pin di 13 Gbps per stack, che si traducono in una sorprendente larghezza di banda di 3, 25 TB/s, un miglioramento sostanziale nelle metriche prestazionali.

Le memorie Samsung HBM4 e HBM4E sono state presentate durante una presentazione, evidenziando specifiche quali Density per Slice e Logic Process Change. — Dettagli di Samsung HBM4E | Crediti immagine: Sedaily

Inoltre, il modulo HBM4E vanta un’efficienza energetica impressionante, raggiungendo quasi il doppio dell’efficienza dell’attuale HBM3E. Il processo HBM4 di Samsung ha inoltre stabilito nuovi standard, raggiungendo una velocità di pin di 11 Gbps, superando gli standard consolidati definiti da organizzazioni come JEDEC. Questa innovazione risponde alla richiesta di NVIDIA di soluzioni HBM4 avanzate per migliorare le prestazioni della sua architettura Rubin e, secondo i media locali, Samsung è stata pioniera in questo progresso.

Samsung Electronics, in passato rimasta indietro rispetto ai suoi concorrenti nel settore HBM3E, ha perseguito con determinazione capacità di larghezza di banda più elevate sin dall’inizio dello sviluppo dell’HBM4. Mentre la concorrenza in termini di velocità nell’HBM4 si avvicina al successo, la strategia dell’azienda è quella di mantenere lo slancio nel passaggio alla prossima generazione.- Sedaily

Oltre all’aumento delle prestazioni, Samsung si sta anche concentrando sulla definizione di una struttura tariffaria competitiva per le forniture di HBM4 ad aziende come NVIDIA. Grazie alla tecnologia avanzata dei semiconduttori (4 nm) come componente integrante di HBM4, le capacità di fonderia interne di Samsung consentono un migliore controllo dei margini di profitto sulla produzione di questi moduli.

Per quanto riguarda l’introduzione sul mercato dell’HBM4E, si prevede che debutterà all’inizio del 2026, in concomitanza con la produzione di massa della tecnologia HBM4.

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