Samsung finalizza il progetto di base per il processo GAA a 2 nm di seconda generazione, con l’obiettivo di integrare la tecnologia nei futuri chipset Exynos e altro ancora

Samsung sta compiendo passi da gigante nel mercato delle fonderie con i suoi progressi nella tecnologia Gate-All-Around (GAA) a 2 nm di prima generazione. I report indicano che il gigante tecnologico sudcoreano non solo sta recuperando slancio, ma potrebbe potenzialmente sfidare il dominio di TSMC nei prossimi anni. Recentemente, è stato confermato che Samsung ha completato la progettazione fondamentale del suo nodo GAA a 2 nm di seconda generazione. Si prevede che questa nuova tecnologia svolgerà un ruolo cruciale nella produzione di massa dei prossimi system-on-chip (SoC) Exynos.

Progressi nella tecnologia GAA a 2 nm: un percorso verso prestazioni migliorate

Conosciuto come SF2P, approfondimenti dettagliati della rivista sudcoreana ZDNet evidenziano l’ambizione di Samsung di rivitalizzare la propria competitività nel settore della fonderia con questo processo GAA a 2 nm di nuova generazione. Attualmente, l’azienda sta procedendo con la produzione in serie del prototipo Exynos 2600, con le sue divisioni semiconduttori e LSI che puntano a un rendimento del 50% entro pochi mesi. Questi sviluppi suggeriscono che Samsung è sulla buona strada per consolidare la propria presenza sul mercato, come dimostrano le promozioni relative alla tecnologia SF2P avviate sia dall’azienda stessa che dalle case di progettazione.

La produzione di massa è prevista per il prossimo anno, subordinata al completamento con successo della fase di sperimentazione. Se tutto procede senza intoppi, la tecnologia GAA a 2 nm di seconda generazione consentirà a Samsung di migliorare significativamente i futuri chipset Exynos. Rispetto al suo predecessore, la tecnologia SF2P promette un notevole aumento delle prestazioni del 12%, una riduzione del consumo energetico del 25% e una riduzione dell’8% delle dimensioni. Sebbene il rapporto non riveli i nomi specifici dei clienti interessati a questo nuovo processo produttivo, Qualcomm emerge come probabile contendente.

Nello specifico, si prevede che lo Snapdragon 8 Elite Gen 2 di Qualcomm, progettato appositamente per la prossima serie Galaxy S25, sfrutterà i wafer GAA a 2 nm di Samsung per la sua produzione di massa. Questa collaborazione suggerisce la potenziale strategia di Qualcomm di diversificare gli approvvigionamenti, bilanciando la produzione tra Samsung e TSMC. Con il continuo sviluppo del nodo GAA a 2 nm di prima generazione, è fondamentale promuovere la concorrenza in questo settore, garantendo che le principali fonderie offrano le loro migliori offerte.

Per approfondimenti più dettagliati, fare riferimento al rapporto di ZDNet.

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