Memoria ZAM di Intel: un’alternativa HBM a basso consumo e alta densità che riceve un notevole sostegno dal Giappone.

Intel ha notizie entusiasmanti riguardo alla sua iniziativa di memoria ZAM, in fase di sviluppo in collaborazione con SAIMEMORY, una sussidiaria di SoftBank. Il progetto ha recentemente acquisito un notevole slancio grazie al supporto del Giappone.

Il Giappone accelera lo sviluppo della memoria ZAM in collaborazione con Intel e SoftBank.

In un recente annuncio, Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) e SAIMEMORY hanno reso noto che la New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) giapponese ha scelto ufficialmente ZAM, uno standard di memoria all’avanguardia concepito come successore della High Bandwidth Memory (HBM).

Il progetto di sviluppo di memorie di nuova generazione, che stiamo promuovendo congiuntamente con SAIMEMORY e annunciato all’evento annuale di quest’anno, Intel Connection Japan 2026, è stato selezionato per un finanziamento da NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).Questo ci permetterà di sviluppare Z-Angle Memory (ZAM), un’architettura DRAM impilata di nuova generazione per l’era dell’IA… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Ufficiale] (@IntelJapan) 24 aprile 2026

Questo riconoscimento da parte di NEDO significa che il progetto riceverà finanziamenti tramite sovvenzioni governative, accelerandone lo sviluppo per affrontare le continue sfide poste dalla carenza di memoria, in particolare nei settori dell’intelligenza artificiale (IA) e del calcolo ad alte prestazioni (HPC).

Avviato all’inizio di quest’anno, il progetto ZAM mira a risolvere l’attuale crisi delle memorie in collaborazione con SoftBank. ZAM, o Z-Angle Memory, è progettato per offrire alta densità, ampia larghezza di banda e basso consumo energetico. L’iniziativa sfrutterà una rete globale di partner tecnologici, produttivi e della catena di fornitura, elemento cruciale per il suo sviluppo e la commercializzazione su larga scala.

“Intel ha dedicato anni a dimostrare la validità scientifica della tecnologia ZAM, dai laboratori nazionali del Dipartimento dell’Energia statunitense alla nostra iniziativa Next Generation DRAM Bonding. Riteniamo che questo riconoscimento acceleri l’implementazione globale di tale lavoro e rafforzi la partnership tecnologica tra Stati Uniti e Giappone, che avrà un’importanza fondamentale negli anni a venire.” – Makoto Ohno, Presidente di Intel KK

Dal punto di vista tecnico, la tecnologia ZAM (Z-Angle Memory) di Intel è destinata a ridurre il consumo energetico del 40-50%, a presentare un design semplificato per una produzione più agevole e a supportare densità fino a 512 GB per chip. Ogni stack di memoria ZAM sarà composto da circuiti integrati DRAM densamente stratificati, interconnessi tramite interconnessioni Z-Angle, con la connettività al chip di elaborazione principale stabilita tramite un Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) situato sotto il die di base.

Una diapositiva della presentazione intitolata "AI Supercycle" evidenzia le collaborazioni tra Intel, SoftBank e SAIMEMORY, sottolineando la tecnologia ZAM (Z-Angle Memory) e i suoi vantaggi nella progettazione di memorie soggette a vincoli di potenza e termici. — Crediti immagine: PCWatch

L’imminente lancio della tecnologia ZAM segna un importante ritorno di Intel nel mercato delle memorie dopo diversi decenni. Storicamente, Intel è stata leader nella produzione di memorie prima di perdere terreno a favore delle aziende giapponesi, e ora, proprio queste aziende svolgono un ruolo fondamentale nella realizzazione della visione ZAM.

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