Di recente, l’innovativa memoria Z-Angle (ZAM) di Intel ha attirato notevole attenzione, con il ritorno dell’azienda sul mercato delle memorie. In seguito all’inaspettata presentazione di un prototipo, il Team Blue ha rilasciato dichiarazioni audaci sul potenziale della tecnologia.
Intel e i suoi partner stanno sperimentando la memoria Z-Angle per affrontare le sfide termiche e computazionali
Dopo decenni di assenza dal settore DRAM, Intel è rinata con una partnership rivoluzionaria con Saimemory, la consociata di SoftBank. La loro collaborazione introduce la memoria Z-Angle (ZAM), progettata per sfidare l’attuale monopolio detenuto dalla memoria ad alta larghezza di banda (HBM).Sebbene i dettagli sulla ZAM siano stati discussi in precedenza, Intel ha ora presentato un prototipo durante l’ evento Intel Connection Japan 2026, come riportato da PCWatch. Questa presentazione inaugurale ha evidenziato principalmente come l’architettura della ZAM possa alleviare i problemi di prestazioni e i vincoli termici comunemente riscontrati dalle tecnologie esistenti.
All’evento erano presenti personalità chiave come l’Intel Fellow e CTO di Intel Government Technologies, Joshua Fryman, e il CEO di Intel Giappone, Makoto Onho. Finora, la tecnologia ZAM era rimasta confinata agli ambienti accademici e agli annunci stampa; tuttavia, la rapida presentazione del prototipo funzionante da parte di Intel segna una pietra miliare significativa. Una caratteristica degna di nota di questa tecnologia di memoria è la sua topologia di interconnessione sfalsata, che utilizza connessioni diagonali all’interno dello stack di die, anziché la tradizionale foratura verticale. Intel afferma che questo approccio migliora la gestione termica della tecnologia ZAM, rendendola un’opzione interessante per le esigenze di elaborazione avanzate.
Sebbene i dettagli del coinvolgimento di Intel nell’iniziativa ZAM siano ancora in fase di chiarimento, i materiali promozionali indicano che l’azienda si assumerà responsabilità relative a “investimenti iniziali e decisioni strategiche”.Per quanto riguarda i vantaggi previsti di ZAM rispetto a HBM, le discussioni iniziali suggeriscono i seguenti miglioramenti:
- Consumo energetico ridotto del 40-50%
- Produzione semplificata con interconnessioni ad angolo Z
- Maggiore capacità di archiviazione per chip (potenzialmente fino a 512 GB)
La prospettiva che Intel si avventuri in un nuovo segmento è innegabilmente entusiasmante. Con dirigenti di spicco presenti alla presentazione, l’azienda sembra pronta ad avere un impatto significativo sul mercato HBM, potenzialmente rimodellando il panorama della tecnologia delle memorie.
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