Intel si sta posizionando strategicamente per sfruttare la crescente domanda di DRAM collaborando con una sussidiaria di SoftBank per introdurre una tecnologia di memoria innovativa nota come “ZAM”.Questa iniziativa arriva in un momento in cui la proliferazione delle infrastrutture di intelligenza artificiale (IA) ha portato ad aumenti senza precedenti nei requisiti di DRAM, in particolare tra gli hyperscaler e i produttori di semiconduttori.
Maggiore efficienza energetica con i moduli di memoria ZAM di Intel
La catena di fornitura globale delle memorie sta subendo notevoli limitazioni a causa della limitata disponibilità da parte degli attuali fornitori, evidenziando la pressante necessità di nuovi operatori sul mercato. In questo contesto, Intel sta guidando una nuova iniziativa nel settore delle memorie. L’azienda ha avviato una partnership con Saimemory di SoftBank per formulare un nuovo standard denominato Z-Angle Memory (ZAM).
I primi sforzi di sviluppo per la tecnologia di memoria ZAM derivano dal programma Advanced Memory Technology (AMT) avviato dal Dipartimento dell’Energia degli Stati Uniti. Durante questo processo, Intel ha presentato la sua soluzione di bonding all’avanguardia per la DRAM di prossima generazione. Sebbene gli annunci di SoftBank non approfondiscano il posizionamento specifico della memoria ZAM, le informazioni sulle strategie di bonding di Intel suggeriscono che la ZAM impiegherà probabilmente una topologia di interconnessione sfalsata, facilitando connessioni diagonali lungo lo stack di die invece della tradizionale foratura verticale.
Le architetture di memoria standard non sono in grado di soddisfare le esigenze dell’intelligenza artificiale. NGDB definisce un approccio completamente nuovo che accelererà il nostro passaggio al prossimo decennio.
Stiamo ripensando il modo in cui la DRAM è organizzata per far progredire radicalmente l’architettura dei sistemi informatici, puntando a ottenere miglioramenti delle prestazioni di ordini di grandezza e a integrare l’innovazione negli standard del settore.
– I funzionari Intel parlano della prossima generazione di DRAM bonding
Il design della memoria Z-Angle prevede l’utilizzo di una sezione di silicio più ampia per le celle di memoria, favorendo una maggiore densità e riducendo al contempo la resistenza termica. Questo approccio innovativo potrebbe incorporare tecniche di legame ibrido rame-rame, consentendo connessioni più efficienti tra gli strati e creando di fatto un blocco di silicio coeso anziché pile discrete. Inoltre, si prevede che la memoria ZAM sarà un design senza condensatori, integrando l’Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) di Intel per una connettività senza interruzioni tra la memoria e i processori di intelligenza artificiale.

Questa collaborazione tra SoftBank e Intel è destinata a fornire a quest’ultima la proprietà della tecnologia dello stack di memoria, svelando potenzialmente progressi con circuiti integrati specifici per applicazione (ASIC) personalizzati, tra cui la serie Izanagi. Sebbene i parametri prestazionali esatti che confrontano ZAM e High Bandwidth Memory (HBM) non siano ancora stati dichiarati, le prime indicazioni suggeriscono che il design Z-Angle potrebbe offrire:
- Riduzione del 40-50% del consumo energetico
- Produzione semplificata tramite interconnessioni ad angolo Z
- Capacità di archiviazione migliorata per chip (fino a 512 GB)
Ciò segna una notevole rinascita per Intel nel settore delle DRAM, poiché il gigante tecnologico ha operato in questo mercato fino al 1985, quando si è ritirato a causa dell’intensificarsi della concorrenza delle aziende giapponesi. Date le attuali dinamiche di mercato e l’immenso potenziale nel settore delle memorie, sarà interessante osservare come si evolverà la tecnologia ZAM di Intel e se riuscirà a guadagnare terreno tra i leader del settore, inclusi importanti player come NVIDIA.
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