Il processo SF2P+ a 2 nm di terza generazione di Samsung sarà lanciato tra due anni, focalizzato sulla stabilizzazione della resa rispetto alle tecnologie avanzate

Il processo SF2P+ a 2 nm di terza generazione di Samsung sarà lanciato tra due anni, focalizzato sulla stabilizzazione della resa rispetto alle tecnologie avanzate

Samsung sta attualmente affrontando una serie di sfide che hanno portato al rinvio del suo pionieristico processo produttivo a 1, 4 nm. Tuttavia, questo ritardo non è indicativo di un fallimento per il gigante sudcoreano dei semiconduttori. Al contrario, Samsung si sta posizionando strategicamente per presentare un avanzato processo produttivo a 2 nm di terza generazione entro i prossimi due anni, promettendo un significativo balzo in avanti in termini di prestazioni ed efficienza rispetto al suo predecessore.

Ottimizzazione del processo a 2 nm di terza generazione

I recenti sviluppi presentati durante il forum SAFE del 1° luglio evidenziano l’impegno di Samsung per l’innovazione. L’azienda ha introdotto il suo processo a 2 nm di terza generazione, noto come SF2P+, che utilizza una nuova tecnica chiamata Optic Shrink. Si prevede che questo processo all’avanguardia migliorerà le prestazioni di un impressionante 20-30% rispetto alla tecnologia di seconda generazione, sebbene i dettagli di questi miglioramenti rispetto al nodo esistente rimangano sconosciuti.

Parallelamente ai progressi nel dominio dei 2 nm, Samsung ha raggiunto traguardi significativi nella progettazione della sua tecnologia a 2 nm di seconda generazione, con l’obiettivo di avviarne la produzione di massa nel prossimo anno. Questa attenzione al perfezionamento delle tecnologie esistenti, piuttosto che all’adozione frettolosa di nuovi processi, indica la priorità di Samsung nel stabilizzare i rendimenti, un fattore cruciale per mantenere il vantaggio competitivo.

Collaborazione e prodotti futuri

La fonderia di Samsung e la divisione LSI stanno collaborando attivamente alla produzione di massa del prototipo del prossimo processore Exynos 2600, che si prevede utilizzerà il nodo GAA a 2 nm. L’obiettivo di rendimento dell’azienda per questo progetto è fissato al 50% nel breve termine, con l’aspettativa che tale percentuale aumenti entro la fine dell’anno. Inoltre, ci sono voci non confermate che suggeriscono che Qualcomm potrebbe lanciare una versione del chipset Snapdragon 8 Elite Gen 2 realizzata con la tecnologia GAA a 2 nm di Samsung, con prove di produzione già identificate con il nome in codice “Kaanapali S”.

Guardando avanti

Considerata l’attuale traiettoria delineata nei recenti report, Samsung sembra stia compiendo progressi significativi. Tuttavia, è ancora prematuro valutare appieno la posizione complessiva dell’azienda. Con l’avvicinarsi della fine dell’anno, potrebbero emergere ulteriori spunti con l’atteso debutto dei primi chipset GAA a 2 nm. Restate sintonizzati per aggiornamenti costanti sull’evolversi di questa vicenda.

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