TSMC lance la construction d’une usine de 1,4 nm à Taïwan d’ici 2025, mais n’utilisera pas la technologie EUV High-NA d’ASML pour ce processus.

TSMC se prépare à lancer la production de plaquettes de 2 nm d’ici fin 2025. Cependant, le plus grand producteur mondial de semi-conducteurs vise déjà une technique de fabrication encore plus avancée : la technologie 1, 4 nm, également appelée A14. Des rapports récents indiquent que TSMC entamera les travaux fondamentaux sur la fabrication de plaquettes de 1, 4 nm à Taïwan. Il semble notamment que l’entreprise soit prête à contourner l’équipement de lithographie EUV High-NA récemment développé par ASML, dont le coût est prohibitif.

Approche innovante de TSMC : utilisation de techniques multi-motifs sur EUV à NA élevé

Selon Commercial Times, la construction d’une nouvelle usine de fabrication de 1, 4 nm à Taichung devrait débuter d’ici la fin de l’année, mais la production de masse pourrait ne pas commencer avant la seconde moitié de 2028. TSMC avait précédemment décrit ce calendrier et déclaré que son procédé A14 pourrait conduire à une réduction de la consommation d’énergie jusqu’à 30 %.

La recherche et le développement du procédé 1, 4 nm se dérouleront dans l’usine actuelle de TSMC à Hsinchu. L’entreprise est déjà en phase de recrutement sur le site de Taichung, les permis de construire pour trois nouveaux bâtiments ayant été approuvés en août. Pour concrétiser ces ambitieux projets, l’investissement initial de TSMC devrait dépasser 1 500 milliards de dollars taïwanais, soit environ 49 milliards de dollars, et une part importante sera consacrée à l’achat de 30 machines de lithographie EUV, prévu pour 2027.

Comme l’a rapporté Dan Nystedt sur X, la décision de TSMC de ne pas développer les systèmes EUV High-NA d’ASML s’explique probablement par le coût exorbitant de ces machines, évaluées à environ 400 millions de dollars chacune. Ce prix représente un défi financier considérable. TSMC a affirmé avec conviction que son infrastructure actuelle permettait la production en série de plaquettes de 1, 4 nm, optant plutôt pour des méthodes complexes de multi-patterning, similaires à celles employées par SMIC pour ses procédés de 5 nm.

Bien que l’alternative choisie par TSMC présente certains inconvénients, comme le risque d’augmentation des délais et des coûts liés à l’optimisation du rendement, l’entreprise est prête à s’engager dans une démarche d’essais-erreurs pour perfectionner son procédé de fabrication de 1, 4 nm. La principale distinction entre TSMC et son concurrent SMIC réside dans la possession par TSMC de ressources spécialisées en EUV qui faciliteront cette démarche. La production de masse n’étant pas encore prévue avant quelques années, TSMC dispose de nombreuses opportunités pour améliorer et optimiser cette technologie de pointe.

Source de l’information : Commercial Times

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