Technologie GAA 2 nm de Samsung : les analystes prévoient un rendement amélioré avec le lancement de la production de masse dans 10 mois

Le parcours de Samsung pour améliorer les rendements de son procédé révolutionnaire Gate-All-Around (GAA) de 3 nm a été semé d’embûches, jetant le doute sur sa capacité à passer en douceur à la production de masse de plaquettes GAA de 2 nm. Il est intéressant de noter que l’entreprise a fait preuve de résilience, défiant les attentes dans l’adversité.

Des analyses récentes mettent en évidence une nette amélioration du rendement de Samsung pour ses nœuds de pointe, notant que les progrès réalisés dépassent les limites qui ont affecté sa technologie 3 nm. Néanmoins, l’entreprise doit continuer à viser l’excellence, car le temps presse.

État actuel du rendement du procédé GAA 2 nm de Samsung

Dans des rapports précédents, il a été révélé que les rendements initiaux de Samsung pendant la phase d’essai de son SoC Exynos de nouvelle génération s’élevaient à un modeste 30 % pour le processus GAA de 2 nm. En comparaison, TSMC, le principal concurrent de Samsung, a atteint un rendement notable de 60 % lors de sa propre production d’essai, creusant ainsi l’écart technologique entre les deux géants du secteur. Cependant, les performances de Samsung pendant la production test du prochain Exynos 2600 démontrent des progrès significatifs, avec des rendements atteignant 30 %.

Bien que des progrès considérables aient été réalisés, Samsung doit encore entreprendre un travail considérable avant de pouvoir présenter fièrement cette technologie de pointe à des clients potentiels et de récupérer sa part de marché perdue. La pression s’accroît et le calendrier est crucial. Selon certaines informations, il reste environ 10 mois à Samsung pour lancer la production réelle de plaquettes GAA de 2 nm. Les analystes sont optimistes et reconnaissent que si les tendances actuelles se poursuivent, Samsung pourrait générer des rendements suffisants pour attirer des clients potentiels.

De plus, au quatrième trimestre de l’année dernière, la division fonderie de Samsung avait commencé l’installation des équipements nécessaires à la mise en place d’une ligne de production GAA 2 nm dans l’usine S3 de Hwaseong. La stratégie consiste à adapter la ligne GAA 3 nm existante, qui produit environ 15 000 feuilles par mois à partir de wafers de 12 pouces, en une ligne de production dédiée 2 nm. La production test pourrait avoir lieu dès cette année, et des mises à jour seront fournies pour tenir les lecteurs informés des progrès ou des échecs de Samsung.

Pour plus de détails, veuillez vous référer au rapport original de Chosun.

Source : WccfTech