Les difficultés actuelles de Samsung dans le secteur des semi-conducteurs sont étroitement liées à ses difficultés de rendement, notamment en ce qui concerne l’adoption de la technologie Gate-All-Around (GAA) de 3 nm. Malgré ce revers, l’entreprise vise un rebond stratégique en concentrant ses efforts sur le prochain nœud GAA de 2 nm. Des rapports indiquent que Samsung a choisi de privilégier ce procédé de fabrication par rapport à son nœud de 1, 4 nm, dont le lancement a été retardé, afin de récupérer des parts de marché après la perte de partenaires comme Qualcomm. Cependant, atteindre la parité concurrentielle avec TSMC demandera un temps considérable ; l’entreprise s’efforce de stabiliser ses taux de rendement pour atteindre 60 à 70 % d’ici la fin de l’année.
Qualcomm renouvelle son intérêt pour la technologie GAA 2 nm de Samsung pour le Snapdragon 8 Elite Gen 2
Depuis l’annonce de ses résultats du premier trimestre 2025, Samsung s’est concentré sur la stabilisation des rendements de son procédé GAA 2 nm. L’entreprise prévoit de lancer la production à grande échelle au second semestre 2025. Alors que les taux de rendement actuels oscillent autour de 30 %, ce qui est loin d’être optimal, Samsung vise à les porter prochainement à 50 %, et prévoit de les porter à 60-70 % d’ici la fin de l’année, selon The Bell.
Même si Samsung parvient à atteindre ses objectifs de rendement, ce succès dépendra du rétablissement de partenariats avec des clients clés comme Qualcomm. Contrairement aux rumeurs selon lesquelles Qualcomm aurait retiré ses commandes à Samsung, des rapports récents suggèrent que le fabricant de puces californien continue d’exploiter la technologie GAA 2 nm de Samsung pour le projet Snapdragon 8 Elite Gen 2, précédemment commercialisé sous le nom de code Kaanapali S.
Compte tenu des difficultés financières de Samsung dues au manque de commandes de puces, l’urgence de remédier à ses difficultés opérationnelles est évidente. Pour démontrer sa volonté de bâtir des collaborations fructueuses sur le marché à enjeux élevés des semi-conducteurs, l’entreprise a finalisé la conception fondamentale de son nœud GAA 2 nm de deuxième génération. Par ailleurs, Samsung prévoit d’intégrer sa technologie GAA 2 nm de troisième génération, baptisée SF2P+, dans les deux prochaines années. Il est toutefois essentiel que ces avancées se traduisent par de nouvelles commandes de la part de ses clients.
Pour plus d’informations, consultez l’article détaillé sur The Bell.
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