Samsung progresse significativement sur le marché de la fonderie grâce aux avancées de sa technologie Gate-All-Around (GAA) 2 nm de première génération. Des rapports indiquent que le géant technologique sud-coréen non seulement retrouve son élan, mais pourrait également concurrencer TSMC dans les années à venir. Il a récemment été confirmé que Samsung avait finalisé la conception fondamentale de son nœud GAA 2 nm de deuxième génération. Cette nouvelle technologie devrait jouer un rôle crucial dans la production en série des futurs systèmes sur puce (SoC) Exynos.
Progrès de la technologie GAA 2 nm : une voie vers des performances améliorées
Connu sous le nom de SF2P, des analyses détaillées de la publication sud-coréenne ZDNet soulignent l’ambition de Samsung de revitaliser sa compétitivité dans le secteur de la fonderie grâce à ce procédé GAA 2 nm de nouvelle génération. L’entreprise progresse actuellement dans la production en série de son prototype Exynos 2600, ses divisions semi-conducteurs et LSI visant un rendement de 50 % d’ici quelques mois. Ces développements suggèrent que Samsung est en bonne voie pour s’implanter solidement sur le marché, comme en témoignent les campagnes de promotion de sa technologie SF2P lancées par l’entreprise et ses bureaux d’études.
Le calendrier de production en série est fixé à l’année prochaine, sous réserve de la réussite de la phase d’essai. Si tout se déroule sans problème, la technologie GAA 2 nm de deuxième génération permettra à Samsung d’améliorer considérablement les futurs chipsets Exynos. Par rapport à son prédécesseur, la technologie SF2P promet une amélioration notable des performances de 12 %, une réduction de la consommation d’énergie de 25 % et une réduction de la surface de 8 %.Bien que le rapport ne précise pas les clients spécifiques intéressés par ce nouveau procédé de fabrication, Qualcomm apparaît comme un concurrent potentiel.
Plus précisément, le Snapdragon 8 Elite Gen 2 de Qualcomm, conçu pour la prochaine série Galaxy S25, devrait s’appuyer sur les plaquettes GAA 2 nm de Samsung pour sa production de masse. Cette collaboration laisse entrevoir la stratégie potentielle de Qualcomm visant à diversifier ses sources d’approvisionnement, en équilibrant la production entre Samsung et TSMC. Alors que le développement du nœud GAA 2 nm de première génération se poursuit, il est crucial de stimuler la concurrence dans ce secteur, en veillant à ce que les principales fonderies proposent leurs meilleures offres.
Pour des informations plus détaillées, consultez le rapport de ZDNet.
Des informations complémentaires et des images peuvent être trouvées dans l’ article source.
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