Le processeur Intel 18A-P : une augmentation de vitesse de 9 %, une conductivité thermique améliorée de 50 % et une conception optimisée des angles obliques pour séduire les fonderies.

Intel fait actuellement progresser sa technologie de processus 18A, en particulier la variante 18A-P, conçue pour améliorer les performances et l’efficacité énergétique pour les clients externes tout en se préparant à des augmentations de volume importantes de la production de Panther Lake.

Le nœud de traitement 18A-P : principaux avantages pour les clients externes

En prévision de la conférence VLSI prévue en juin, Intel a partagé des informations préliminaires sur la puce 18A-P, mettant en lumière les avancées qui renforcent sa compétitivité sur le marché de la fonderie. La page web dédiée à la VLSI est présentée comme une source d’informations complémentaires.

Intel 18A-P est une technologie de transistors RibbonFET à grille enveloppante (GAA) aux performances améliorées, avec alimentation par l’arrière via PowerVia. Par rapport à Intel 18A, Intel 18A-P offre une consommation d’énergie inférieure de plus de 18 % à performances égales, ou un gain de performances supérieur à 9 % à consommation d’énergie égale. Cette amélioration est obtenue grâce à de nouvelles fonctionnalités technologiques, à l’optimisation des performances des transistors, à l’amélioration des interconnexions et à la co-optimisation des technologies de conception (DTCO).

Les nouvelles fonctionnalités d’Intel 18A-P incluent des paires logiques VT supplémentaires, une réduction des distorsions d’empilement, de nouveaux dispositifs basse consommation dans les bibliothèques haute densité (HD) et hautes performances (HP), ainsi que des dispositifs HP aux performances améliorées dans les deux bibliothèques. De plus, Intel 18A-P offre une résistance thermique réduite pour une meilleure conduction de la chaleur.

Source de l’image : Dr Ian Cutress (via VLSI)

La technologie 18A-P d’Intel promet une augmentation notable des performances d’environ 9 % à consommation d’énergie équivalente, ou une réduction de la consommation d’énergie d’environ 18 % pour des performances identiques, par rapport au procédé 18A. Elle se positionne ainsi comme une version améliorée de son prédécesseur, parfaitement adaptée aux exigences croissantes des applications modernes de semi-conducteurs.

Les principales améliorations de la liste des fonctionnalités indiquent une continuité dans la hauteur de la bibliothèque et le pas du poly contacté, tandis que les mises à niveau notables comprennent l’introduction de nouveaux transistors basse et haute puissance, une augmentation du nombre de paires VT logiques de quatre à cinq ou plus, et la mise en œuvre de coins de skew plus serrés pour optimiser la variabilité des performances.

Intel 18A vs.18A-P : un aperçu comparatif

Catégorie	Fonctionnalité	18A	18A-P
Performance	Performances à puissance isotherme	1x	Gain de performance Iso-Power de 9 %
Règles de conception	Pas de poly contacté (nm)	50	50
Hauteur de la bibliothèque (nm)	—	180 / 160	180 / 160
Transistor	Appareils disponibles	Z2, Z3	Z1, Z2, Z3, Z1 (Faible puissance), Z1.5 (Faible puissance), Z3P (Contact HP)
Options VT	Paires logiques VT	4 paires de transistors logiques	Plus de 5 paires de VT logiques (nouvelle VT logique entre ULVT et LVT) ULVT inférieure
Coins obliques	—	—	Resserrage d’environ 30 % dans les angles obliques
Interconnexion RC	—	Processus de base Intel 18A	Réduction V0-V2 R M2-M4 jogging
Thermiques	—	—	Conductivité thermique améliorée de 50 %

Parmi les progrès les plus significatifs figure l’amélioration de 50 % de la conductivité thermique. Bien que cela n’implique pas un fonctionnement à des températures plus basses, cela témoigne d’une meilleure capacité de transfert de chaleur, essentielle au maintien des performances en charge.

Intel a également visualisé les gains de performance de la technologie 18A-P à travers des graphiques comparant les fréquences de l’oscillateur en anneau à la capacité normalisée, démontrant ainsi la vitesse et l’efficacité énergétique supérieures offertes par le nouveau processus.

Un graphique intitulé « 180CH » compare les dispositifs avec une capacité normalisée en fonction de la fréquence de l'oscillateur en anneau, montrant les progrès réalisés avec les dispositifs « Intel 18A-P » mis en avant comme un « nouveau dispositif avec des contacts haute performance ».

Étiquette	Couleur/Forme	Signification
W1	Points verts	Nouveau dispositif doté de contacts haute performance — le cluster le plus performant avec la fréquence d’oscillateur annulaire la plus élevée.
W2	Carrés foncés + vert	Étape intermédiaire montrant une mobilité améliorée (les électrons se déplacent plus facilement dans le canal).
W3	Carrés foncés	Itérations supplémentaires, performances accrues.
W3P	Points bleus	Nouveau dispositif doté de contacts haute performance — le cluster le plus performant avec la fréquence d’oscillateur annulaire la plus élevée.

Le procédé de gravure 18A-P représente bien plus qu’une simple amélioration marginale des performances : il intègre des avancées techniques significatives conçues pour conquérir de nouveaux clients.À mesure que les technologies 18A-P et 14A PDK gagnent en maturité, les analystes sont optimistes quant aux perspectives d’Intel de renforcer ses relations clients au sein de ses activités de fonderie.

Pour plus de détails, reportez-vous aux réflexions du Dr Ian Cutress.

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