Les retards dans le versement des subventions de Samsung à l’usine de Taylor au Texas ont un impact sur les investissements dans la technologie avancée des semi-conducteurs

L’usine Samsung de Taylor au Texas est sur le point de devenir un centre crucial pour la fabrication de semi-conducteurs de pointe. Cependant, les défis récents ont considérablement affecté la position concurrentielle de Samsung, en particulier par rapport au leader du secteur TSMC. L’entreprise a dû faire face à des revers, ce qui a entraîné des retards dans les subventions attendues, essentielles au lancement opérationnel complet de l’usine de Taylor.

Engagements de financement menacés : l’investissement de 17 milliards de dollars de Samsung

Samsung avait prévu 17 milliards de dollars pour l’usine de Taylor, un engagement qui est aujourd’hui remis en cause en raison de l’impasse des négociations sur les subventions. Bien qu’un premier protocole d’accord ait été signé avec le gouvernement américain le 15 avril, des rapports récents de Business Korea indiquent que les paiements prévus n’ont pas encore été concrétisés. L’évolution du paysage politique, en particulier après la récente victoire électorale de Trump, a forcé Samsung à réévaluer considérablement ses plans d’investissement stratégiques.

Défis de concurrence et de production

De plus, le ministère américain du Commerce a récemment annoncé l’octroi d’une subvention substantielle de 6,165 milliards de dollars à Micron, un accord qui a été finalisé peu après le précédent protocole d’accord de Samsung. Bien que Samsung ait signé son protocole d’accord dix jours plus tôt, le retard dans le financement met en péril son ambitieux investissement de 17 milliards de dollars.

Le ralentissement récent des investissements de Samsung dans les technologies de fonderie avancées, notamment en raison des faibles performances de ses procédés Gate-All-Around (GAA) 3 nm, semble être un facteur déterminant dans ce retard de financement. Les rapports indiquent que les taux de rendement de la technologie 3 nm de deuxième génération ne sont que de 20 %, ce qui est nettement inférieur à l’objectif initial de 70 %. Ce résultat décevant a entraîné une réduction de la dynamique de croissance de Samsung dans ce secteur vital.

Perspectives d’avenir et retards dans la fabrication d’équipements EUV

Les difficultés rencontrées par l’entreprise ont également entraîné des retards dans la livraison d’équipements de lithographie EUV (Extreme Ultraviolet) essentiels d’ASML pour l’usine de Taylor. Malgré ces obstacles, des développements positifs se profilent à l’horizon. Des sources internes suggèrent que Samsung poursuit activement le développement de la technologie 2 nm de nouvelle génération, sous le nom de code « Ulysse ». Au fur et à mesure que cette initiative se déroule, la communauté des semi-conducteurs est très attentive à ses résultats.

En termes de subventions, le soutien financier de Samsung à l’usine de Taylor reste conditionné à son engagement à continuer de financer l’entreprise. Ce n’est qu’avec des investissements soutenus que l’entreprise pourra obtenir les subventions nécessaires pour faire avancer ses ambitions dans le domaine des semi-conducteurs.

L’industrie des semi-conducteurs évoluant rapidement, il reste à voir comment Samsung relèvera ces défis afin de consolider sa position sur le marché et, à terme, de réaliser son investissement au Texas.

Source de l’information : Business Korea

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