Un ejecutivo de Samsung asegura avances en la tecnología GAA de 2 nm, mientras que un funcionario de SK Hynix lo considera un punto de inflexión crucial.

A finales de septiembre, Samsung inició oficialmente la producción en masa de sus obleas avanzadas Gate-All-Around (GAA) de 2 nm, inicialmente diseñadas para el esperado chipset Exynos 2600. Los recientes avances de la compañía en tecnología de semiconductores sugieren que están preparados para aumentar su producción de forma eficaz. Durante una reunión en la Oficina Presidencial, un ejecutivo clave de Samsung destacó los impresionantes avances logrados en este nuevo proceso de fabricación.

Samsung eleva el objetivo de rendimiento de GAA de 2 nm al 70 % para finales de año

En una reciente asamblea presidida por Kim Yong-beom, Jefe de Políticas de la Oficina Presidencial, se abordaron diversos temas cruciales relacionados con el sector de los semiconductores. Según informes, Song Jae-hyuk, presidente y director de tecnología de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung, compartió perspectivas optimistas sobre el proceso GAA de 2 nm. Tras un período difícil que permitió a competidores como TSMC dominar el mercado de la fundición, Samsung parece estar en vías de recuperación y un potencial liderazgo del mercado.

Durante las conversaciones, se hizo claro hincapié en la ambición de Samsung de recuperar su liderazgo en el sector global de la fundición, principalmente mediante el lanzamiento de la tecnología GAA de 2 nm. Según se informa, Samsung ha completado el diseño fundamental de su proceso GAA de 2 nm de segunda generación, y se prevé que los planes para una iteración de tercera generación, conocida como SF2P+, se concreten en dos años.

El ejecutivo también reconoció los obstáculos enfrentados, en particular la necesidad de alcanzar a TSMC y abordar diversos desafíos tecnológicos y de recursos humanos. Señaló que el apoyo gubernamental será crucial para las empresas en este panorama competitivo. En cuanto a la tecnología GAA de 2 nm de Samsung, el objetivo de rendimiento se ha incrementado del 50 % a un impresionante 70 %, y expertos en la materia confían en la capacidad de la compañía para cumplir estas aspiraciones.

“Con la llegada de la producción en masa a gran escala de chips de 2 nm, estas declaraciones realizadas durante la reunión con la Oficina del Presidente pueden interpretarse como que Samsung está logrando sin problemas sus objetivos planificados de rendimiento del proceso de 2 nm y del chip”.

Exynos 2600: el prometedor primer chipset GAA de 2 nm de Samsung

Las evaluaciones internas preliminares del Exynos 2600 revelan un rendimiento robusto, con capacidades muy superiores a las del A19 Pro y el Snapdragon 8 Elite Gen 5 en diversas pruebas de rendimiento. Si bien el rendimiento real en unidades comerciales puede variar, existe una gran esperanza de que la tecnología GAA de 2 nm de Samsung produzca mejoras sustanciales en eficiencia y potencia. Para obtener más información y detalles sobre el Exynos 2600, le invitamos a explorar nuestro completo resumen de rumores.

Para obtener más información, consulte este artículo de Chosun.

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