TSMC comienza la construcción de una planta de 1,4 nm en Taiwán en 2025. No utilizará la tecnología EUV de alta NA de ASML para este proceso.

TSMC se prepara para iniciar la producción de obleas de 2 nm a finales de 2025. Sin embargo, el mayor productor de semiconductores del mundo ya tiene la mira puesta en una técnica de fabricación aún más avanzada: la tecnología de 1, 4 nm, también conocida como A14. Informes recientes indican que TSMC iniciará las obras fundamentales para la fabricación de obleas de 1, 4 nm en Taiwán. Cabe destacar que la compañía parece estar dispuesta a prescindir del equipo de litografía EUV de alta apertura numérica (NA) recientemente desarrollado por ASML, con un coste prohibitivo.

Enfoque innovador de TSMC: Utilización de técnicas de patrones múltiples sobre EUV de alta NA

Según Commercial Times, se espera que la construcción de una nueva planta de fabricación de 1, 4 nm en Taichung comience a finales de año, aunque la producción en masa podría no comenzar hasta la segunda mitad de 2028. TSMC había delineado previamente este cronograma y afirmó que su proceso A14 podría conducir a una reducción del consumo de energía de hasta un 30%.

La investigación y el desarrollo del proceso de 1, 4 nm se llevarán a cabo en las instalaciones de TSMC en Hsinchu. La empresa ya se encuentra en la fase de contratación en la planta de Taichung, y en agosto se aprobaron los permisos de construcción para tres nuevos edificios. Para hacer realidad estos ambiciosos planes, se prevé que la inversión inicial de TSMC supere los 1, 5 billones de dólares taiwaneses, equivalentes a aproximadamente 49 000 millones de dólares, destinando fondos considerables a la adquisición de 30 máquinas de litografía EUV previstas para 2027.

Según informó Dan Nystedt en X, la decisión de TSMC de no desarrollar los sistemas EUV de alta NA de ASML probablemente se deba al elevado coste de estas máquinas, valoradas en unos 400 millones de dólares cada una. Este precio supone un importante reto financiero. TSMC ha afirmado rotundamente que su infraestructura actual es capaz de facilitar la producción en masa de obleas de 1, 4 nm, optando en su lugar por complejos métodos de multipatrón, similares a los que emplea SMIC en sus procesos de 5 nm.

Si bien la alternativa elegida por TSMC presenta ciertas desventajas, como el posible aumento de tiempo y costos asociados con la optimización del rendimiento, la compañía está preparada para emprender un proceso de prueba y error para perfeccionar su proceso de fabricación de 1, 4 nm. La principal diferencia entre TSMC y su competidor SMIC es que TSMC cuenta con recursos especializados en EUV que le ayudarán en este esfuerzo. Dado que la producción en masa aún está a algunos años de distancia, TSMC tiene amplias oportunidades para mejorar y optimizar esta tecnología de vanguardia.

Fuente de la noticia: Commercial Times

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