
Informes recientes indican que Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) ha enfrentado varios desafíos en su búsqueda de la producción de chips avanzados, en particular debido a la falta de acceso a equipos de litografía ultravioleta extrema (EUV) de vanguardia. Esta limitación ha obstaculizado los esfuerzos de la compañía por avanzar más allá del nodo tecnológico de 7 nm. Según las proyecciones, SMIC está en camino de concluir el desarrollo de chips de 5 nm en 2025.
Desafíos del uso de equipos DUV
El uso de herramientas litográficas de Ultravioleta Profundo (DUV) más antiguas podría permitir a SMIC alcanzar sus objetivos de 5 nm. Sin embargo, este enfoque presenta importantes inconvenientes. Cabe destacar que se espera que los costos de producción sean un 50 % superiores a los de su competidor TSMC para procesos de fabricación comparables. Además, se proyecta que el rendimiento de los chips de SMIC sea solo un tercio del que TSMC logra con la misma tecnología.
Un informe de Kiwoom Securities, destacado por el informante @Jukanlosreve, subraya el plazo previsto para la finalización de los chips de 5 nm de SMIC. La compañía se enfrentó a obstáculos durante la fabricación de estos nodos avanzados, especialmente en relación con la producción en masa de la serie Mate 70 de Huawei, con el Kirin 9020 basado en un nodo de 7 nm. Si SMIC logra cumplir sus ambiciosos objetivos, aún podría enfrentarse a numerosos desafíos en el camino.
Como se indicó, se prevé que las obleas de 5 nm de SMIC incurran en costos elevados debido a la dependencia de la antigua tecnología DUV, que requiere un modelado adicional para lograr la precisión litográfica deseada. El aumento del precio y la reducción del rendimiento se combinan para crear una barrera formidable para SMIC en su búsqueda de competir en el cambiante panorama de los semiconductores.
SMIC planea completar el desarrollo de su proceso de 5 nm para 2025.
Lograron la producción en masa del proceso de 7 nm (N+2) sin EUV y completaron el desarrollo del proceso de 5 nm para apoyar la producción en masa del Huawei Ascend 910C.
El coste del proceso de 5 nm de SMIC es…
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) 26 de marzo de 2025
Perspectivas futuras y obstáculos
Los pasos de fabricación adicionales introducidos debido a las limitaciones de la tecnología DUV no solo prolongarán los tiempos de producción de las obleas de 5 nm, sino que también es probable que resulten en una mayor incidencia de productos defectuosos. Un factor crucial será si SMIC puede desarrollar su propia tecnología EUV, que actualmente se encuentra en fase de prueba y se espera que entre en funcionamiento en el tercer trimestre de 2025. Además, SiCarrier, un fabricante chino de equipos vinculado a Huawei, está explorando activamente alternativas a la tecnología de ASML que podrían ayudar a superar estas limitaciones.
Si bien el cronograma exacto para el aumento de la producción de obleas de 5 nm de SMIC aún no está claro, @Jukanlosreve señala que Huawei planea implementar esta tecnología en su chip de IA Ascend 910C. Esta iniciativa busca reducir la dependencia de China de los productos de NVIDIA. El desarrollo exitoso de maquinaria EUV local podría permitir a SMIC desarrollar nodos de tecnología de semiconductores aún más avanzados en el futuro. En las próximas semanas, les informaremos sobre el progreso de SMIC con el proceso de 5 nm.
Fuente de la noticia: @Jukanlosreve
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