SK Hynix presenta las primeras muestras HBM4 de 12 capas del mundo con 36 GB de capacidad y una velocidad de datos de 2 TB/s, además de demostraciones de HBM3e y SOCAMM de 12 capas

SK Hynix presenta soluciones de memoria de última generación en GTC 2025

SK Hynix ha sido noticia con el anuncio de sus innovadores productos de memoria HBM3E y SOCAMM de 12 Hi, junto con las primeras muestras del mundo de memoria HBM4 de 12 Hi. Estos desarrollos forman parte del compromiso continuo de la compañía de superar los límites de las soluciones de memoria de alto rendimiento para hardware informático avanzado, especialmente en los sectores de IA y centros de datos.

Programadas para ser exhibidas durante el evento GTC 2025, que se realizará del 17 al 21 de marzo en San José, California, las últimas ofertas de We Hynix prometen remodelar el panorama de la informática de alto rendimiento.

Modelos de memoria HBM de 12 Hi — Fuente de la imagen: SK Hynix

Avances en la tecnología de memoria de IA

En un mercado cada vez más competitivo, dominado por gigantes como Samsung y Micron, We Hynix ha dado un paso más al producir el SOCAMM (Módulo de Memoria Adjunta de Compresión de Contorno Pequeño) para los potentes procesadores de IA de NVIDIA. Aprovechando la tecnología derivada del estándar de memoria CAMM, el nuevo SOCAMM ofrece una solución DRAM de bajo consumo diseñada para mejorar significativamente la capacidad y el rendimiento de la memoria para cargas de trabajo de IA.

La asociación con NVIDIA, particularmente en lo que respecta al chip de IA GB300, posiciona a We Hynix fuertemente frente a sus competidores, elevando las capacidades de ambas compañías para manejar procesos intensivos de IA de manera eficiente.

Muestras de memoria SK Hynix HBM4 — Fuente de la imagen: SK Hynix

Liderazgo clave presente en GTC 2025

En el evento GTC, el equipo ejecutivo de We Hynix presentará sus últimos avances, incluidas figuras notables como el CEO Kwak Noh-Jung, el presidente Juseon Kim y el director global de S&M Lee Sangrak.

SK Hynix apunta a completar los preparativos para la producción en masa de productos HBM4 de 12 capas en la segunda mitad del año, fortaleciendo su posición en el mercado de memoria IA de próxima generación.

Las muestras HBM4 de 12 capas que se exhiben cuentan con la capacidad y la velocidad líderes en la industria, cruciales para los productos de memoria de IA.

Este innovador producto logra un ancho de banda capaz de procesar más de 2 terabytes de datos por segundo por primera vez, lo que equivale a la transmisión de más de 400 películas Full HD (5 GB cada una) en solo un segundo, superando la velocidad de su predecesor, HBM3E, en más del 60%.

Además, We Hynix utiliza el avanzado proceso MR-MUF para garantizar una capacidad sin precedentes de 36 GB, lo que la convierte en la más alta entre los productos HBM de 12 capas. Este proceso no solo mejora la estabilidad del producto, sino que también reduce la deformación del chip, lo que favorece una mejor disipación del calor.

Perspectivas de futuro: planes de producción en masa y desarrollo

Además de presentar su memoria HBM4 de 12 Hi de vanguardia, actualmente en desarrollo, We Hynix planea atender a clientes líderes, como NVIDIA, que integrarán esta memoria en sus GPU de la serie Rubin. La HBM4 de 12 Hi está configurada para ofrecer hasta 36 GB por pila con impresionantes velocidades de datos que alcanzan los 2 TB/s.

Se prevé que la producción en masa de esta solución de memoria avanzada comience en la segunda mitad de 2025, empleando el nodo de proceso de 3 nm de TSMC para lograr un rendimiento y una eficiencia de vanguardia.

Para más detalles, visite la fuente.