Tecnología GAA de 2 nm de Samsung: los analistas predicen un mejor rendimiento cuando la producción en masa comience en 10 meses

El camino que ha recorrido Samsung para mejorar el rendimiento de su innovador proceso Gate-All-Around (GAA) de 3 nm ha estado plagado de numerosos desafíos, lo que ha puesto en duda su capacidad para realizar una transición fluida hacia la producción en masa de obleas GAA de 2 nm. Curiosamente, la empresa ha demostrado resiliencia, desafiando las expectativas en medio de la adversidad.

Los análisis recientes destacan una marcada mejora en el rendimiento de Samsung para sus nodos de vanguardia, y señalan que los avances logrados superan las limitaciones que plagaban su tecnología de 3 nm. No obstante, la empresa debe seguir esforzándose por alcanzar la excelencia, ya que el tiempo avanza.

Estado actual del rendimiento del proceso GAA de 2 nm de Samsung

En informes anteriores, se reveló que los rendimientos iniciales de Samsung durante la etapa de prueba para su SoC Exynos de próxima generación se situaron en un modesto 30 por ciento para el proceso GAA de 2 nm. En comparación, TSMC, el principal competidor de Samsung, logró un notable rendimiento del 60 por ciento en su propia producción de prueba, ampliando la brecha tecnológica entre los dos gigantes de la industria. Sin embargo, el rendimiento de Samsung durante la producción de prueba del próximo Exynos 2600 demuestra un progreso significativo, con rendimientos que alcanzan el 30 por ciento.

Si bien se han logrado avances considerables, Samsung aún tiene mucho trabajo por hacer antes de poder presentar con orgullo esta tecnología avanzada a los clientes potenciales y recuperar la participación de mercado que perdió. Con la creciente presión, el cronograma es crítico; los informes indican que a Samsung le quedan aproximadamente 10 meses para iniciar la producción real de obleas GAA de 2 nm. Los analistas son optimistas y reconocen que, si las tendencias actuales continúan, Samsung puede generar suficientes ingresos para atraer a clientes potenciales.

Además, en el cuarto trimestre del año pasado, la división de fundición de Samsung había comenzado la instalación del equipo necesario para establecer una línea de producción de GAA de 2 nm dentro de las instalaciones de S3 en Hwaseong. La estrategia implica adaptar la línea de GAA de 3 nm existente, que produce alrededor de 15.000 láminas al mes utilizando obleas de 12 pulgadas, a una línea de producción dedicada a 2 nm. La producción de prueba podría comenzar a principios de este año y se proporcionarán actualizaciones para mantener a los lectores informados sobre el progreso o los reveses de Samsung.

Para más detalles, consulte el informe original de Chosun.

Fuente: WccfTech