El camino hacia la rentabilidad del sector de fabricación de semiconductores de Samsung depende de atraer a una amplia gama de clientes para su avanzado proceso de fabricación Gate-All-Around (GAA) de 2 nm. Actualmente, el Exynos 2600 es el primer sistema en chip (SoC) producido en masa mediante esta litografía de vanguardia. Cabe destacar que Tesla ha firmado una importante alianza multimillonaria con Samsung en el marco de este proyecto. Sin embargo, informes recientes señalan que dos empresas chinas tienen previsto encargar chips GAA de 2 nm de Samsung para sus próximos productos de minería de criptomonedas, lo que indica un avance en la estrategia de Samsung, si bien aún se enfrenta a la dura competencia del líder del sector, TSMC.
Bitmain sigue sin estar convencida por los chips GAA de 2 nm de Samsung y continúa su colaboración con TSMC.
Según el medio coreano Hankyung, las dos empresas chinas que se están adentrando en el uso de la tecnología GAA de 2 nm de Samsung son MicroBT y Canaan. Estas empresas se sitúan como el segundo y tercer mayor fabricante en el sector de la minería de criptomonedas, respectivamente, mientras que Bitmain ocupa el primer puesto. A pesar de los pedidos recientes de MicroBT y Canaan, Bitmain aún no ha establecido relaciones con Samsung, prefiriendo mantener su colaboración con TSMC. Esta preferencia probablemente se deba a la reputación de TSMC por sus entregas puntuales, su acceso a la tecnología más avanzada y su probada capacidad para gestionar los retos de producción, incluyendo altos índices de rendimiento, un área en la que la nueva tecnología GAA de Samsung aún necesita validación.
La fase de producción de los pedidos de MicroBT ya ha comenzado, mientras que Canaan tiene previsto iniciar la producción de su primer silicio a principios de 2026, con entregas programadas para la segunda mitad del próximo año. Los pedidos de ambas compañías se fabricarán en la planta S3 de Samsung en Hwaseong, provincia de Gyeonggi.
Los pedidos actuales representan aproximadamente el 10 % de la capacidad total de Samsung para la producción de obleas de 2 nm, que opera a un ritmo de unas 2000 obleas de 300 mm (12 pulgadas) mensuales. Si bien este volumen puede parecer modesto, subraya el compromiso de Samsung de competir directamente con TSMC. La compañía busca activamente cualquier oportunidad para ampliar su cartera de clientes para esta litografía de vanguardia.
En una actualización anterior, se indicó que se habían enviado muestras del Snapdragon 8 Elite Gen 5, fabricado con el proceso de 2 nm, a Qualcomm para su análisis. Se prevé que una estrategia de doble proveedor, que involucre a Samsung, solo se materialice con el lanzamiento del Snapdragon 8 Elite Gen 6, programado para finales de 2026. Para mantenerse a la par de TSMC, Samsung habría completado el diseño fundamental de su proceso GAA de 2 nm de segunda generación y también estaría avanzando en el desarrollo de una tercera iteración, denominada SF2P+.
La estrategia de fabricación de Samsung para la tecnología GAA de 2 nm incluye planes para su planta en Taylor, Texas. Informes recientes indican que ASML está formando un equipo para facilitar la instalación del equipo necesario para la producción de obleas de última generación. Con esta configuración, se prevé que la planta de Texas alcance una capacidad de producción superior a 15 000 obleas mensuales hasta 2027.
Para más detalles, consulte la fuente: Hankyung
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