Samsung retrasa indefinidamente la producción de memoria HBM5E debido al bajo rendimiento de la memoria DRAM D1d.

La innovadora memoria DRAM 1D de Samsung (de 7.ª generación y 10 nm), diseñada para futuras soluciones de memoria de alto ancho de banda (HBM), se enfrenta a desafíos que podrían retrasar su entrada en producción debido a tasas de rendimiento insatisfactorias.

Retrasos en la producción de la memoria HBM5E de próxima generación de Samsung.

Según un informe reciente de IT Chosun, Samsung está reconsiderando la producción en masa de su memoria DRAM 1D (D1d), basada en la avanzada tecnología de proceso de 10 nm, debido a un rendimiento deficiente. Esta situación podría llevar al gigante tecnológico a detener sus planes para las soluciones HBM de próxima generación.

Aunque la tecnología DRAM ya había obtenido la aprobación previa a la producción (PRA), han surgido dudas sobre el retorno de la inversión (ROI) al iniciar una prueba o avanzar hacia la fabricación a gran escala, principalmente porque los rendimientos reales no cumplen con los objetivos establecidos.

“Samsung Electronics planea posponer la producción en masa indefinidamente hasta que el rendimiento D1d alcance el nivel objetivo, y por el momento, no se ha determinado la fecha de reanudación”, señaló una fuente con conocimiento interno de las operaciones de Samsung.“Se están centrando en aumentar aún más el rendimiento mediante una revisión completa de la hoja de ruta del proceso”.

Traducido automáticamente por IT Chosun

El éxito de la tecnología DRAM D1d de Samsung es crucial para la hoja de ruta futura de su memoria HBM, en particular para la esperada HBM5E, la solución HBM de novena generación que se prevé que surja de la compañía.

Imagen en primer plano de un chip semiconductor de Samsung que muestra una cuadrícula con contactos dorados. — Créditos de la imagen: Samsung

Actualmente, la tecnología DRAM de 1c se utiliza en tres generaciones de HBM: HBM4, HBM4E y HBM5. Se prevé el lanzamiento de HBM4 a finales de este año, principalmente para las plataformas Vera Rubin de NVIDIA y MI400 de AMD, mientras que HBM4E probablemente será compatible con los aceleradores Rubin Ultra y MI500. Además, se proyecta que HBM5 y diseños personalizados se adopten en la serie Feynman de NVIDIA y otras ofertas de la competencia.

Recientemente, se informó que Samsung tiene la intención de acortar significativamente su ciclo de desarrollo de HBM. Si bien esta estrategia podría acelerar la preparación de nuevas soluciones HBM, no garantiza que estén completamente listas para la producción. La diferenciación entre la fase de desarrollo y el ciclo de producción pone de manifiesto que la preparación para la producción es un posible cuello de botella, un punto que se destaca en el análisis más reciente.

Además, Samsung Electronics ha destinado importantes recursos a la construcción de una extensa planta de fabricación de chips en Onyang, Corea del Sur. Esta instalación, cuyo tamaño equivale al de cuatro campos de fútbol, producirá memorias DRAM de última generación, incluyendo HBM. En ella se gestionarán todas las etapas de la producción, desde el empaquetado y las pruebas hasta la logística y el control de calidad, garantizando así un alto nivel de exigencia en las actividades de producción.

[EXCLUSIVA] Samsung Electronics construirá una nueva fábrica de semiconductores del tamaño de “4 campos de fútbol” en Onyang… para convertirse en un centro neurálgico de procesos de back-end. Samsung Electronics está reestructurando su posición competitiva en HBM (memoria de alto ancho de banda) hacia los procesos de back-end.pic.twitter.com/WFZdao3MVI

– Jukan (@jukan05) 21 de abril de 2026

En el panorama de los semiconductores, que evoluciona rápidamente, las empresas compiten por establecer alianzas estratégicas con las principales firmas de IA. La clave del éxito reside en diversificar las estrategias de HBM y garantizar planes de desarrollo y producción coherentes, manteniendo al mismo tiempo rendimientos satisfactorios y un sólido retorno de la inversión.

Fuente e imágenes