Samsung mejora el proceso GAA de 2 nm con énfasis en el rendimiento y la rentabilidad para competir con TSMC; se espera que la demanda de chips dure cuatro años.

El dominio del mercado de TSMC y las aspiraciones de Samsung

Actualmente, TSMC se erige como líder indiscutible en la industria de semiconductores, especialmente mientras se prepara para intensificar la producción de su tecnología de vanguardia de 2 nm a finales de este año. Sin embargo, los analistas creen que, con el tiempo y los recursos adecuados, Samsung podría convertirse en un competidor formidable con su propia tecnología Gate-All-Around (GAA) de 2 nm. Este proceso sin duda presentará desafíos significativos, pero los informes sugieren que la fundición coreana está logrando avances notables en la mejora de sus capacidades de litografía de próxima generación. Se proyecta que el aumento de la demanda de chips producidos con este nodo dure al menos cuatro años, lo que ofrece a Samsung un amplio incentivo para ampliar su capacidad de producción.

La cautelosa estrategia de Samsung hacia la tecnología GAA de 2 nm

Ante los obstáculos actuales con el rendimiento de GAA de 2 nm, Samsung está adoptando un enfoque mesurado para consolidarse como una alternativa viable a TSMC. La decisión estratégica de la compañía de retrasar el lanzamiento de su proceso de 1, 4 nm para centrarse en la tecnología GAA de 2 nm parece acertada. Según Chosun, Samsung aspira a desarrollar múltiples variantes de este proceso avanzado, lo que responde a la creciente demanda de chips de alto rendimiento.

El experto de la industria @Jukanlosreve indica que Samsung anticipa una demanda sostenida de obleas GAA de 2 nm durante al menos tres años, durante los cuales la compañía también priorizará abordar la gestión térmica y optimizar las métricas de rendimiento.

Navegando los desafíos actuales y delineando planes futuros

Anteriormente, Samsung implementó una estrategia de «selección y concentración» para mejorar el rendimiento de su proceso GAA de 2 nm, con el objetivo de alcanzar un rendimiento del 70 %.Si bien este objetivo aún está entre un 20 % y un 30 % por debajo de las cifras de rendimiento de TSMC, representa una mejora con respecto a las estimaciones inicialmente conservadoras de la dirección de Samsung. La compañía se está preparando para la producción en masa, con miras al segundo semestre de 2025, a la vez que aumenta la capacidad de fabricación en su planta de Pyeongtaek y otras ubicaciones.

Aunque los detalles específicos sobre las iteraciones posteriores del nodo GAA de 2 nm siguen siendo escasos, la especulación de la industria sugiere que Samsung planea lanzar procesos de segunda generación, con diseños preliminares ya completados. Además, la iteración de tercera generación, que se prevé que se denomine «SF2P+», está prevista para su implementación en los próximos dos años. Sin embargo, aún no está claro si la producción comenzará en las plantas de fabricación actuales o si se construirán nuevas instalaciones en el futuro.

Establecer la confianza y asegurar el orden del mercado

Dadas las dificultades pasadas de Samsung, ganarse la confianza de los clientes potenciales será fundamental para el éxito futuro del negocio. La compañía podría necesitar ofrecer precios competitivos para sus obleas de GAA de 2 nm para atraer nuevos contratos en la industria. Si bien el panorama podría cambiar en los próximos años, consolidarse en el mercado de semiconductores requerirá esfuerzos estratégicos y un compromiso con la calidad.

Tal como están las cosas, los avances de Samsung indican que con el tiempo la competencia podría intensificarse en este sector; sin embargo, en la actualidad, TSMC sigue siendo el líder inigualable en la fabricación de semiconductores.

Fuente de la noticia: Chosun

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