Samsung finaliza el diseño básico del proceso GAA de 2 nm de segunda generación, con el objetivo de integrar la tecnología en futuros chipsets Exynos y más.

Samsung está logrando avances significativos en el mercado de la fundición gracias a sus avances en la tecnología Gate-All-Around (GAA) de 2 nm de primera generación. Los informes indican que el gigante tecnológico surcoreano no solo está recuperando impulso, sino que podría desafiar el dominio de TSMC en los próximos años. Recientemente, se confirmó que Samsung ha completado el diseño fundamental de su nodo GAA de 2 nm de segunda generación. Se espera que esta nueva tecnología desempeñe un papel crucial en la producción en masa de los próximos sistemas en chip (SoC) Exynos.

Avances en la tecnología GAA de 2 nm: un camino hacia un rendimiento mejorado

Conocido como SF2P, información detallada de la publicación surcoreana ZDNet destaca la ambición de Samsung de revitalizar su competitividad en el sector de la fundición con este proceso GAA de 2 nm de última generación. Actualmente, la compañía avanza con la producción en masa de su prototipo Exynos 2600, y sus divisiones de semiconductores y LSI aspiran a alcanzar un rendimiento del 50 % en pocos meses. Estos avances sugieren que Samsung está en camino de consolidar su presencia en el mercado, como lo demuestran las promociones en torno a su tecnología SF2P, tanto por parte de la compañía como de las firmas de diseño.

El plazo de producción en masa está previsto para el próximo año, sujeto a la finalización exitosa de la fase de prueba. Si todo marcha bien, la tecnología GAA de 2 nm de segunda generación permitirá a Samsung mejorar significativamente los futuros chipsets Exynos. En comparación con su predecesora, la tecnología SF2P promete un notable aumento del rendimiento del 12 %, una reducción del consumo de energía del 25 % y una disminución del tamaño del área del 8 %.Si bien el informe no revela clientes específicos interesados en este nuevo proceso de fabricación, Qualcomm se perfila como un posible candidato.

En concreto, se espera que el Snapdragon 8 Elite Gen 2 de Qualcomm, diseñado específicamente para la próxima serie Galaxy S25, aproveche las obleas GAA de 2 nm de Samsung para su producción en masa. Esta colaboración es un indicio de la posible estrategia de Qualcomm para diversificar el abastecimiento, equilibrando la producción entre Samsung y TSMC. A medida que avanza el desarrollo del nodo GAA de 2 nm de primera generación, es crucial fomentar la competencia en este sector, garantizando que las empresas líderes en fundición ofrezcan sus mejores productos.

Para obtener información más detallada, consulte el informe de ZDNet.

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