Samsung comienza a reclutar personal de su sede central para la planta de Taylor en Texas; el personal dedicado a la producción de silicio indica un potencial de pedidos importantes.

Tras casi un año de disminución de operaciones debido a la reducción de pedidos de chips, Samsung parece estar mejorando su planta de Taylor, Texas. Los últimos acontecimientos sugieren que la compañía se prepara para un aumento significativo en la producción de semiconductores. Un nuevo informe indica que personal especializado, con experiencia en diversas facetas de la fabricación de silicio, se está reubicando de la sede de Samsung a las instalaciones de Texas. Esta medida estratégica probablemente busca acelerar la preparación de la planta para la producción a gran escala.

Samsung invierte 17.000 millones de dólares en la planta de Taylor y prevé finalizarla en 2026

Las instalaciones de Taylor representan una inversión monumental de 17 000 millones de dólares, con planes de finalización para 2026. Gran parte del personal enviado a Texas proviene de la sede de infraestructura global de Samsung. Según lo informado por Fnnews y destacado por @Jukanlosreve, estos expertos poseen amplios conocimientos en áreas cruciales como el desarrollo de procesos, la configuración de equipos, la optimización del rendimiento y el control de calidad, esenciales para el éxito de la producción de chips de silicio.

Gran parte del personal que se enviará a la fábrica de Taylor esta vez provendrá de la Sede Global de Infraestructura, una organización de construcción de infraestructura, así como personal que maneja procesos por debajo de los 3 nanómetros (1 nm = una milmillonésima parte de un metro).Se espera que la configuración y la verificación del rendimiento se realicen en la planta estadounidense, de acuerdo con las especificaciones del producto del cliente.

El envío de este personal experimentado sugiere que Samsung prioriza la rápida finalización de la planta, con el objetivo de atraer posibles alianzas comerciales lucrativas con empresas estadounidenses interesadas en realizar pedidos importantes de chips. La compañía prevé iniciar la producción en el primer trimestre de 2026, con la intención de fabricar obleas Gate-All-Around (GAA) de 2 nm a escala industrial.

A pesar de las estimaciones actuales de rendimiento de alrededor del 30 % para esta nueva tecnología, Samsung ya ha iniciado la producción en masa del prototipo del chip Exynos 2600 mediante el proceso de 2 nm. Informes posteriores indican que la compañía aspira a un rendimiento del 70 % para finales de este año y ha completado los diseños fundamentales de su proceso GAA de 2 nm de segunda generación. También hay planes en marcha para introducir el nodo GAA de 2 nm de tercera generación, conocido como SF2P+, en los próximos dos años. Si el rendimiento en todas las iteraciones cumple las expectativas, Samsung podría posicionarse competitivamente junto a TSMC en el mercado de semiconductores.

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