Samsung aspira a una estabilización del rendimiento del 70 % en la producción de chips de 2 nm para 2025 y conseguir importantes pedidos de Qualcomm y otros fabricantes.

Los desafíos actuales de Samsung en el sector de semiconductores están significativamente relacionados con sus dificultades con las tasas de rendimiento, en particular en la adopción de la tecnología Gate-All-Around (GAA) de 3 nm. A pesar de este revés, la compañía busca una recuperación estratégica centrando sus esfuerzos en el próximo nodo GAA de 2 nm. Los informes indican que Samsung ha optado por priorizar este proceso de fabricación en lugar de su retrasado nodo de 1, 4 nm para recuperar el negocio de socios perdidos como Qualcomm. Sin embargo, alcanzar la paridad competitiva con TSMC requerirá un tiempo considerable; la empresa está trabajando para estabilizar las tasas de rendimiento hasta alcanzar el 60-70 % para finales de año.

Qualcomm renueva su interés en la tecnología GAA de 2 nm de Samsung para el Snapdragon 8 Elite Gen 2

Desde el anuncio de sus resultados del primer trimestre de 2025, Samsung se ha centrado en estabilizar el rendimiento de su proceso GAA de 2 nm. La compañía planea iniciar la producción a gran escala en el segundo semestre de 2025. Si bien las tasas de rendimiento actuales rondan el 30 % (menos que óptimas), Samsung pretende aumentarlas al 50 % pronto, con expectativas de alcanzar el 60 %-70 % para finales de año, según informes de The Bell.

Incluso si Samsung logra alcanzar sus objetivos de rendimiento, este éxito dependerá del restablecimiento de alianzas con clientes clave como Qualcomm. Contrariamente a la creencia inicial de que Qualcomm había retirado pedidos a Samsung, informes recientes sugieren que el fabricante de chips con sede en California aún utiliza la tecnología GAA de 2 nm de Samsung para el proyecto Snapdragon 8 Elite Gen 2, que anteriormente circulaba bajo el nombre en clave Kaanapali S.

Dadas las dificultades financieras de Samsung debido a la falta de pedidos de chips, la urgencia de solucionar sus problemas operativos es evidente. Para demostrar su compromiso con el desarrollo de colaboraciones fructíferas en el competitivo mercado de semiconductores, la compañía ha completado el diseño fundamental de su nodo GAA de 2 nm de segunda generación. Además, Samsung planea integrar su tecnología GAA de 2 nm de tercera generación, denominada SF2P+, en los próximos dos años. Sin embargo, es fundamental que estos avances se traduzcan en nuevos pedidos de clientes.

Para obtener más información, consulte el artículo detallado en The Bell.

Fuente e imágenes