Memoria ZAM de Intel: una alternativa HBM de bajo consumo y alta densidad recibe un importante apoyo de Japón.

Intel tiene noticias interesantes sobre su iniciativa de memoria ZAM, que se está desarrollando en colaboración con SAIMEMORY, filial de SoftBank. El proyecto ha cobrado un impulso significativo recientemente gracias al apoyo de Japón.

Japón acelera el desarrollo de la memoria ZAM en colaboración con Intel y SoftBank.

En un anuncio reciente, Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) y SAIMEMORY revelaron que la Organización Japonesa para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales (NEDO) ha elegido oficialmente ZAM, un estándar de memoria de vanguardia concebido como sucesor de la memoria de alto ancho de banda (HBM).

El proyecto de desarrollo de memoria de próxima generación, que estamos impulsando conjuntamente con SAIMEMORY y que anunciamos en el evento anual de este año, Intel Connection Japan 2026, ha sido seleccionado para recibir una subvención de NEDO (Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnologías Industriales).Esto nos permitirá desarrollar la memoria Z-Angle (ZAM), una arquitectura DRAM apilada de próxima generación para la era de la IA… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Oficial] (@IntelJapan) 24 de abril de 2026

Este respaldo de NEDO significa que el proyecto recibirá financiación a través de subvenciones gubernamentales, lo que acelerará su avance para abordar los desafíos actuales que plantea la escasez de memoria, en particular en los sectores de inteligencia artificial (IA) y computación de alto rendimiento (HPC).

Lanzado a principios de este año, el proyecto ZAM busca abordar la actual crisis de memoria en colaboración con SoftBank. ZAM, o Memoria de Ángulo Z, está diseñada para ofrecer alta densidad, amplio ancho de banda y bajo consumo energético. La iniciativa aprovechará una red global de socios tecnológicos, de fabricación y de la cadena de suministro, lo cual es fundamental para su desarrollo y comercialización a gran escala.

“Intel ha dedicado años a demostrar la base científica de ZAM, desde los laboratorios nacionales del Departamento de Energía hasta nuestra iniciativa de unión de DRAM de próxima generación. Creemos que este premio acelera la implementación global de este trabajo y fortalece el tipo de colaboración tecnológica entre Estados Unidos y Japón que será de vital importancia en los próximos años.” – Makoto Ohno, Presidente de Intel KK

En el aspecto técnico, la memoria ZAM (Z-Angle Memory) de Intel promete reducir el consumo de energía entre un 40 % y un 50 %, presentar un diseño simplificado para facilitar la fabricación y admitir densidades de hasta 512 GB por chip. Cada pila de memoria ZAM constará de circuitos integrados DRAM densamente dispuestos en capas, interconectados mediante interconexiones en ángulo Z, con conectividad al chip de procesamiento principal establecida a través del puente de interconexión multichip integrado (EMIB) situado debajo del chip base.

Una diapositiva de la presentación titulada "Superciclo de IA" destaca las colaboraciones entre Intel, SoftBank y SAIMEMORY, haciendo hincapié en la memoria ZAM (Z-Angle Memory) y sus beneficios en el diseño de memorias impulsado por las limitaciones de potencia y térmicas. — Créditos de la imagen: PCWatch

El próximo lanzamiento de ZAM supone un importante regreso de Intel al mercado de la memoria tras varias décadas. Históricamente, Intel fue líder en la producción de memoria antes de perder terreno frente a las empresas japonesas, y ahora, estas mismas empresas desempeñan un papel fundamental en la materialización de la visión de ZAM.

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