Los retrasos en los pagos de subsidios de Samsung para la planta Taylor en Texas afectan la inversión en tecnología avanzada de semiconductores

Los retrasos en los pagos de subsidios de Samsung para la planta Taylor en Texas afectan la inversión en tecnología avanzada de semiconductores

La planta Taylor de Samsung en Texas está preparada para convertirse en un centro crucial para la fabricación avanzada de semiconductores. Sin embargo, los desafíos recientes han afectado significativamente la posición competitiva de Samsung, en particular en comparación con el líder de la industria, TSMC. A medida que la empresa se ha enfrentado a reveses, se ha vuelto necesario recalibrar su estrategia de inversión, lo que a su vez ha resultado en retrasos en los subsidios esperados esenciales para el lanzamiento operativo completo de la planta de Taylor.

Compromisos de financiación en riesgo: la inversión de 17.000 millones de dólares de Samsung

Samsung había destinado 17.000 millones de dólares a la planta de Taylor, un compromiso que ahora corre peligro debido al estancamiento de las negociaciones sobre los subsidios. Aunque el 15 de abril se firmó un memorando de entendimiento inicial con el gobierno de Estados Unidos, informes recientes de Business Korea indican que los pagos previstos aún no se han materializado. El cambiante panorama político, en particular tras la reciente victoria electoral de Trump, ha obligado a Samsung a reevaluar significativamente sus planes de inversión estratégica.

Desafíos de la competencia y la producción

Además, el Departamento de Comercio de Estados Unidos anunció recientemente la concesión de un importante subsidio de 6.165 millones de dólares a Micron, un acuerdo que se concretó poco después del memorando de entendimiento anterior de Samsung. Si bien Samsung firmó su memorando de entendimiento diez días antes, el retraso en la financiación pone en riesgo su ambiciosa inversión de 17.000 millones de dólares.

Un factor fundamental que contribuye a este retraso en la financiación parece ser la reciente desaceleración de las inversiones de Samsung en tecnología de fundición avanzada, en particular debido al bajo rendimiento de sus procesos Gate-All-Around (GAA) de 3 nm. Los informes indican que las tasas de rendimiento de la tecnología de 3 nm de segunda generación son de apenas un 20%, muy por debajo del objetivo inicial del 70%. Este decepcionante resultado ha llevado a una reducción del impulso de crecimiento de Samsung en este sector vital.

Perspectivas futuras y retrasos en el equipamiento EUV

Las dificultades de la empresa también han provocado retrasos en la entrega de equipos críticos de litografía ultravioleta extrema (EUV) de ASML para la planta de Taylor. A pesar de estos obstáculos, hay avances positivos en el horizonte. Los expertos sugieren que Samsung está trabajando activamente en el desarrollo de la tecnología de 2 nm de próxima generación, cuyo nombre en código es «Ulysses». A medida que se desarrolla esta iniciativa, la comunidad de semiconductores está muy atenta a sus resultados.

En cuanto a los subsidios, el apoyo financiero de Samsung a la planta de Taylor sigue dependiendo de su compromiso de seguir financiando el proyecto. Solo con una inversión sostenida la empresa podrá conseguir los subsidios necesarios para impulsar sus ambiciones en el sector de los semiconductores.

Dado que la industria de los semiconductores evoluciona rápidamente, aún queda por ver cómo Samsung enfrentará estos desafíos para consolidar su posición en el mercado y, en última instancia, concretar su inversión en Texas.

Fuente de la noticia: Business Korea

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