Samsung verschiebt die Produktion von HBM5E-Speichern aufgrund unzureichender Ausbeuten bei D1d-DRAM auf unbestimmte Zeit.

Samsungs hochmoderner 1D-DRAM (7. Generation, 10 nm), der für zukünftige High Bandwidth Memory (HBM)-Lösungen entwickelt wurde, steht vor Herausforderungen, die aufgrund unbefriedigender Ausbeuten den Produktionsstart verzögern könnten.

Verzögerungen in der Produktion von Samsungs HBM5E-Speicher der nächsten Generation

Laut einem aktuellen Bericht von IT Chosun überdenkt Samsung die Massenproduktion seines 1D-DRAMs „D1d“, der auf der fortschrittlichen 10-nm-Prozesstechnologie basiert, aufgrund unzureichender Ausbeute. Dies könnte den Technologiekonzern dazu veranlassen, seine Pläne für die nächste Generation von HBM-Lösungen vorerst auf Eis zu legen.

Obwohl die DRAM-Technologie zuvor die Vorproduktionszulassung (PRA) erhalten hatte, sind Bedenken hinsichtlich der Rentabilität (ROI) für die Durchführung eines Testlaufs oder den Übergang zur Serienfertigung aufgekommen, hauptsächlich weil die tatsächlichen Ausbeuten die festgelegten Ziele nicht erreichen.

„Samsung Electronics plant, die Massenproduktion auf unbestimmte Zeit zu verschieben, bis die D1d-Ausbeute das Zielniveau erreicht. Ein Wiederaufnahmetermin steht derzeit noch nicht fest“, so eine Quelle mit Insiderwissen über die Samsung-Abläufe.„Das Unternehmen konzentriert sich darauf, die Ausbeute durch eine vollständige Überarbeitung des Produktionsprozesses weiter zu steigern.“

Maschinell übersetzt von IT Chosun

Der Erfolg der D1d-DRAM-Technologie von Samsung ist entscheidend für die zukünftige Roadmap des HBM-Speichers, insbesondere für den erwarteten HBM5E, die HBM-Lösung der 9. Generation, die vom Unternehmen erwartet wird.

Nahaufnahme eines Samsung-Halbleiterchips, der ein Gitter mit goldenen Kontakten zeigt. — Bildnachweis: Samsung

Aktuell wird die 1c-DRAM-Technologie in drei HBM-Generationen eingesetzt: HBM4, HBM4E und HBM5. Die Markteinführung von HBM4 wird für Ende dieses Jahres erwartet und zielt primär auf die Plattformen Vera Rubin von NVIDIA und MI400 von AMD ab. HBM4E wird voraussichtlich die Beschleuniger Rubin Ultra und MI500 unterstützen. Darüber hinaus wird erwartet, dass HBM5 und kundenspezifische Designs in der Feynman-Serie von NVIDIA und anderen Konkurrenzprodukten zum Einsatz kommen werden.

Kürzlich wurde berichtet, dass Samsung seinen HBM-Entwicklungszyklus deutlich verkürzen will. Diese Strategie mag zwar die Entwicklung neuer HBM-Lösungen beschleunigen, garantiert aber nicht deren vollständige Produktionsreife. Die Unterscheidung zwischen Entwicklungsphase und Produktionszyklus verdeutlicht die Produktionsreife als potenziellen Engpass – ein Punkt, der in der jüngsten Analyse hervorgehoben wird.

Darüber hinaus hat Samsung Electronics erhebliche Ressourcen in den Bau einer riesigen Chipfabrik in Onyang, Südkorea, investiert. Die Anlage, die etwa so groß ist wie vier Fußballfelder, soll DRAM-Produkte der nächsten Generation, einschließlich HBM, herstellen. Sie wird alle Produktionsschritte abdecken – von der Verpackung und Prüfung bis hin zu Logistik und Qualitätskontrolle – und so einen hohen Standard für die laufende Produktion gewährleisten.

[EXKLUSIV] Samsung Electronics baut in Onyang eine neue Halbleiterfabrik von der Größe von „vier Fußballfeldern“… und wird zum zentralen Backend-Prozesszentrum. Samsung Electronics restrukturiert seine Wettbewerbsposition im Bereich HBM (High Bandwidth Memory) hin zu Backend-Prozessen.pic.twitter.com/WFZdao3MVI

— Jukan (@jukan05) 21. April 2026

Im sich rasant entwickelnden Halbleitermarkt konkurrieren Unternehmen um bedeutende Partnerschaften mit führenden KI-Firmen. Der Schlüssel zum Erfolg liegt in der Diversifizierung von HBM-Strategien und der Sicherstellung konsistenter Entwicklungs- und Produktionspläne bei gleichzeitig zufriedenstellenden Ausbeuten und einer soliden Kapitalrendite.

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