Samsung stellt das grundlegende Design für den 2-nm-GAA-Prozess der zweiten Generation fertig und zielt darauf ab, die Technologie in zukünftige Exynos-Chipsätze und mehr zu integrieren

Samsung erzielt mit seinen Fortschritten in der 2-nm-Gate-All-Around-Technologie (GAA) der ersten Generation bedeutende Fortschritte im Foundry-Markt. Berichten zufolge gewinnt der südkoreanische Technologieriese nicht nur wieder an Dynamik, sondern könnte in den nächsten Jahren möglicherweise die Vorherrschaft von TSMC in Frage stellen. Kürzlich wurde bestätigt, dass Samsung das grundlegende Design für seinen 2-nm-GAA-Knoten der zweiten Generation fertiggestellt hat. Diese neue Technologie wird voraussichtlich eine entscheidende Rolle bei der Massenproduktion der kommenden Exynos-System-on-Chips (SoCs) spielen.

Fortschritte in der 2-nm-GAA-Technologie: Ein Weg zu verbesserter Leistung

Detaillierte Einblicke der südkoreanischen Publikation ZDNet unterstreichen Samsungs Ambitionen, seine Wettbewerbsfähigkeit im Foundry-Sektor mit diesem 2-nm-GAA-Prozess der nächsten Generation, bekannt als SF2P, zu stärken. Derzeit schreitet die Massenproduktion des Exynos 2600-Prototyps voran, wobei die Halbleiter- und LSI-Abteilungen innerhalb weniger Monate eine Ausbeute von 50 % anstreben. Diese Entwicklungen deuten darauf hin, dass Samsung auf dem besten Weg ist, eine solide Marktpräsenz aufzubauen, was durch die von Samsung und Designhäusern initiierten Werbeaktionen rund um die SF2P-Technologie belegt wird.

Der Zeitplan für die Massenproduktion ist für das nächste Jahr festgelegt, abhängig vom erfolgreichen Abschluss der Testphase. Läuft alles reibungslos, wird die 2-nm-GAA-Technologie der zweiten Generation es Samsung ermöglichen, zukünftige Exynos-Chipsätze deutlich zu verbessern. Im Vergleich zum Vorgänger verspricht die SF2P-Technologie eine deutliche Leistungssteigerung von 12 %, eine Reduzierung des Stromverbrauchs um 25 % und eine Verkleinerung der Baufläche um 8 %.Obwohl der Bericht keine konkreten Kunden nennt, die an diesem neuen Herstellungsverfahren interessiert sind, gilt Qualcomm als wahrscheinlicher Kandidat.

Insbesondere Qualcomms Snapdragon 8 Elite Gen 2, maßgeschneidert für die kommende Galaxy S25-Serie, soll Samsungs 2-nm-GAA-Wafer für die Massenproduktion nutzen. Diese Zusammenarbeit deutet auf Qualcomms mögliche Strategie hin, die Beschaffung zu diversifizieren und die Produktion zwischen Samsung und TSMC auszugleichen. Da die Entwicklungen im 2-nm-GAA-Knoten der ersten Generation weiter voranschreiten, ist es entscheidend, den Wettbewerb in diesem Sektor zu fördern und sicherzustellen, dass die führenden Gießereien ihre besten Angebote liefern.

Ausführlichere Informationen finden Sie im Bericht von ZDNet.

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