Samsung bringt die Produktion von HBM4-Speicher mit Geschwindigkeiten von bis zu 13 Gbit/s und einer Kapazität von 48 GB auf den Markt.

Samsung bringt die Produktion von HBM4-Speicher mit Geschwindigkeiten von bis zu 13 Gbit/s und einer Kapazität von 48 GB auf den Markt.

Samsung hat offiziell mit der Massenproduktion und Auslieferung seines HBM4-Speichers der nächsten Generation begonnen, der unglaubliche Geschwindigkeiten von bis zu 13 Gigabit pro Sekunde und Unterstützung für Kapazitäten von bis zu 48 Gigabyte bietet.

Samsung setzt mit der HBM4-Speicherproduktion neue Maßstäbe

Pressemitteilung: Samsung Electronics, ein führender Anbieter fortschrittlicher Speicherlösungen, hat die Serienproduktion seines bahnbrechenden HBM4-Speichers gestartet. Damit ist Samsung das erste Unternehmen der Branche, das diese Technologie kommerziell ausliefert und seine Führungsrolle im HBM4-Markt weiter festigt.

Samsung HBM4-Chip mit Schaltplan
Bildquelle: Samsung

Durch die Nutzung seines hochmodernen 10-Nanometer-DRAM-Prozesses der 6. Generation (nm) erzielte Samsung von Anfang an stabile Ausbeuten und eine überlegene Leistung, ohne dass weitere Überarbeitungen erforderlich waren.

Leistung und Effizienz neu definiert

Der HBM4-Speicher von Samsung erreicht eine kontinuierliche Verarbeitungsgeschwindigkeit von 11, 7 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) und übertrifft damit den etablierten Industriestandard von 8 Gbit/s um rund 46 %.Dies setzt einen bedeutenden Maßstab für die Speicherleistung und stellt eine deutliche Verbesserung gegenüber dem Vorgängerstandard HBM3E dar, der eine maximale Pin-Geschwindigkeit von 9, 6 Gbit/s bot. Darüber hinaus ebnet die HBM4-Technologie den Weg für höhere Geschwindigkeiten von bis zu 13 Gbit/s und beseitigt so effektiv Datenengpässe – ein besonders vorteilhafter Aspekt angesichts der steigenden Anforderungen von KI-Modellen.

Darüber hinaus erreicht HBM4 eine Gesamtspeicherbandbreite von bis zu 3, 3 Terabyte pro Sekunde (TB/s) pro Stack, was einer beeindruckenden Steigerung um das 2, 7-fache gegenüber HBM3E entspricht.

Samsung Halbleiterchips
Bildquelle: Samsung

Durch den Einsatz einer ausgeklügelten 12-Schicht-Stapeltechnik ist HBM4 in Kapazitäten von 24 GB bis 36 GB erhältlich. Geplant ist, in Übereinstimmung mit zukünftigen Kundenanforderungen Konfigurationen bis zu 48 GB durch 16-Schicht-Stapelung anzubieten.

Um den steigenden Herausforderungen hinsichtlich Stromverbrauch und Wärmemanagement – ​​bedingt durch die Verdopplung der Daten-I/Os von 1.024 auf 2.048 Pins – zu begegnen, integriert Samsungs Design modernste Energiesparlösungen direkt in den Chipkern. HBM4 zeichnet sich zudem durch eine beeindruckende 40%ige Steigerung der Energieeffizienz aus. Dies wird durch fortschrittliche TSV-Technologie und ein optimiertes PDN erreicht, wodurch der Wärmewiderstand im Vergleich zu HBM3E um 10 % und die Wärmeableitung um 30 % verbessert werden.

Diese außergewöhnliche Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit macht Samsungs HBM4 zu einem unschätzbaren Vorteil für zukünftige Rechenzentrumsumgebungen und ermöglicht es den Kunden, den GPU-Durchsatz zu maximieren und ihre Gesamtbetriebskosten (TCO) effektiv zu steuern.

Agile Produktionskapazitäten für den wachsenden HBM-Markt

Samsungs Engagement für die Weiterentwicklung seiner HBM-Roadmap wird durch eine der größten DRAM-Produktionskapazitäten und dedizierte Fertigungsinfrastrukturen der Branche gestärkt. Dies gewährleistet eine widerstandsfähige Lieferkette, die den erwarteten Anstieg der HBM4-Nachfrage decken kann.

Die integrierte Design-Technologie-Kooptimierung (DTCO) zwischen den Bereichen Foundry und Speicherfertigung garantiert höchste Qualität und optimale Ausbeute. Dank umfassender interner Expertise im Bereich Advanced Packaging optimiert Samsung seine Produktionsprozesse, minimiert Lieferzeiten und maximiert gleichzeitig den Output.

Samsung-Lkw mit KI-Systembranding
Bildquelle: Samsung

Mit Blick auf die Zukunft plant Samsung, seine technischen Kooperationen mit wichtigen Partnern auszubauen und mit globalen GPU-Herstellern und Hyperscalern zusammenzuarbeiten, die sich auf die Entwicklung von ASICs der nächsten Generation konzentrieren.

Prognosen zufolge rechnet Samsung bis 2026 mit einer mehr als dreifachen Steigerung des HBM-Absatzes gegenüber 2025. Aus diesem Grund baut das Unternehmen seine Produktionskapazitäten für HBM4 proaktiv aus. Nach dem erfolgreichen Markteintritt von HBM4 wird die Mustererstellung für HBM4E voraussichtlich in der zweiten Jahreshälfte 2026 beginnen. Kundenspezifische HBM-Muster, die auf die jeweiligen Anforderungen zugeschnitten sind, sollen ab 2027 an die Kunden ausgeliefert werden.

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