Intel kooperiert mit SoftBank, um inmitten anhaltender Engpässe wieder in den Speichermarkt einzusteigen.

Intel positioniert sich strategisch, um die stark steigende Nachfrage nach DRAM zu nutzen, indem es mit einer SoftBank-Tochtergesellschaft zusammenarbeitet, um eine bahnbrechende Speichertechnologie namens „ZAM“ einzuführen. Diese Initiative kommt zu einem Zeitpunkt, an dem die Verbreitung von Infrastruktur für künstliche Intelligenz (KI) zu einem beispiellosen Anstieg des DRAM-Bedarfs geführt hat, insbesondere bei Hyperscalern und Halbleiterherstellern.

Verbesserte Energieeffizienz mit Intel ZAM-Speichermodulen

Die globale Lieferkette für Speichertechnologien stößt aufgrund begrenzter Verfügbarkeit bei den derzeitigen Anbietern an ihre Grenzen, was den dringenden Bedarf an neuen Marktteilnehmern unterstreicht. In diesem Kontext treibt Intel ein neues Projekt im Speicherbereich voran. Das Unternehmen ist eine Partnerschaft mit SoftBanks Tochtergesellschaft Saimemory eingegangen, um einen neuen Standard namens Z-Angle Memory (ZAM) zu entwickeln.

Die ersten Entwicklungsarbeiten für die ZAM-Speichertechnologie gehen auf das Advanced Memory Technology (AMT)-Programm des US-Energieministeriums zurück. Im Rahmen dieses Programms präsentierte Intel seine hochmoderne Bonding-Technologie für DRAM der nächsten Generation. Obwohl SoftBanks Ankündigungen nicht detailliert auf die Positionierung des ZAM-Speichers eingehen, deuten Erkenntnisse über Intels Bonding-Strategien darauf hin, dass ZAM wahrscheinlich eine gestaffelte Verbindungstopologie verwenden wird. Dies ermöglicht diagonale Verbindungen über den Chipstapel hinweg anstelle herkömmlicher vertikaler Bohrungen.

Herkömmliche Speicherarchitekturen genügen den Anforderungen künstlicher Intelligenz nicht. NGDB definiert einen völlig neuen Ansatz, der unseren Übergang in das nächste Jahrzehnt beschleunigen wird.

Wir überdenken die Organisation von DRAM, um die Computerarchitektur grundlegend weiterzuentwickeln, mit dem Ziel, um Größenordnungen Leistungsverbesserungen zu erzielen und Innovationen in Industriestandards einfließen zu lassen.

– Intel-Vertreter zur DRAM-Bonding-Technologie der nächsten Generation

Das Z-Angle-Memory-Design nutzt eine größere Siliziumfläche für die Speicherzellen, was eine höhere Speicherdichte bei gleichzeitig reduziertem Wärmewiderstand ermöglicht. Dieser innovative Ansatz beinhaltet möglicherweise Kupfer-Kupfer-Hybrid-Bonding-Techniken, die effizientere Verbindungen zwischen den Schichten ermöglichen und so einen zusammenhängenden Siliziumblock anstelle diskreter Schichten erzeugen. Darüber hinaus soll ZAM ohne Kondensatoren auskommen und Intels Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) für eine nahtlose Verbindung zwischen Speicher und KI-Prozessoren integrieren.

Ein beschriftetes Diagramm mit dem Titel „Detaillierte ZAM-Speicherarchitektur“ zeigt einen mehrlagigen Silizium-Die-Stack mit Kupfer-Z-Winkeln — Bildnachweis: Wccftech (KI-generiert)

Diese Zusammenarbeit zwischen SoftBank und Intel könnte Intel die Kontrolle über die Speichertechnologie sichern und potenziell Fortschritte bei kundenspezifischen anwendungsspezifischen integrierten Schaltungen (ASICs), einschließlich der Izanagi-Serie, ermöglichen. Obwohl genaue Leistungskennzahlen im Vergleich von ZAM und High Bandwidth Memory (HBM) noch nicht veröffentlicht wurden, deuten erste Anzeichen darauf hin, dass das Z-Angle-Design Folgendes bieten könnte:

40-50% Reduzierung des Stromverbrauchs
Optimierte Fertigung durch Z-Winkel-Verbindungen
Erweiterte Speicherkapazität pro Chip (bis zu 512 GB)

Dies markiert ein bemerkenswertes Comeback für Intel im DRAM-Sektor. Der Technologiekonzern war bereits bis 1985 in diesem Markt aktiv, zog sich dann aber aufgrund des verschärften Wettbewerbs japanischer Unternehmen zurück. Angesichts der aktuellen Marktdynamik und des immensen Potenzials im Speicherbereich wird es spannend sein zu beobachten, wie sich Intels ZAM-Technologie entwickelt und ob sie sich bei Branchenführern, darunter auch Branchengrößen wie NVIDIA, durchsetzen kann.

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