Auswirkungen des 18-tägigen Streiks von Samsung auf die DRAM- und NAND-Produktion: Produktionsrückgang um 4 %, Erholung voraussichtlich in 2-3 Wochen

Während sich der globale Halbleitermarkt auf erhebliche Umwälzungen vorbereitet, droht Samsung Electronics aufgrund eines geplanten 18-tägigen Streiks seiner Gewerkschaftsmitglieder ein akuter Mangel an DRAM- und NAND-Speichern. Diese Arbeitskampfmaßnahme dürfte die bereits bestehenden Lieferkettenengpässe verschärfen und Risiken für Hersteller und Verbraucher gleichermaßen bergen.

Auswirkungen des Samsung-Streiks auf die DRAM- und NAND-Produktion

Berichten zufolge fordert die Samsung-Gewerkschaft Bonuszahlungen in Höhe von 15 % des jährlichen Betriebsgewinns des Unternehmens, umgerechnet etwa 30 Milliarden US-Dollar. Sollten die Verhandlungen scheitern, ist ein Streik vom 21. Mai bis zum 7. Juni geplant, in dessen Verlauf mit Produktionsausfällen von bis zu 4 % bei DRAM und 3 % bei NAND- Speicherlösungen gerechnet wird.

Es wird erwartet, dass die Versorgung mit Speicherhalbleitern um bis zu 4 % sinken wird, sollte die Gewerkschaft von Samsung Electronics (005930) den angekündigten 18-tägigen Generalstreik durchführen. Grund dafür ist, dass die Produktion auch nach dem Streik voraussichtlich zwei bis drei Wochen zur Normalisierung benötigen wird.

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Schätzungen zufolge könnten Samsung im Falle eines Streiks Verluste in Höhe von etwa 20 bis 30 Billionen KRW (13 bis 20 Milliarden USD) erleiden, verbunden mit dem Risiko eines 36-tägigen Produktionsausfalls. Die Wiederherstellung der Produktion nach dem Streik dürfte voraussichtlich zwei bis drei Wochen dauern und notwendige Maßnahmen wie die Rückstellung der Reinräume, die Neukalibrierung der Anlagen und die Steigerung der Produktionsausbeute umfassen.

Eine Präsentationsfolie mit dem Titel „18-tägiger Streik im Fokus: DRAM- und NAND-Produktion gefährdet“ beschreibt detailliert die Auswirkungen auf die Produktion von Samsung und hebt hervor, dass ein Streik von 30.000 bis 40.000 Teilnehmern voraussichtlich zu Produktionsausfällen von 3 bis 4 % bei DRAM und 2 bis 3 % bei NAND im Zeitraum vom 21. Mai bis 7. Juni 2026 führen wird, wobei die Erholung nach dem Streik 2 bis 3 Wochen dauern wird. — Bildquelle: Trendforce

Laut Trendforce verdeutlicht die erwartete Erholungsphase die sich verschärfende Krise im KI-Sektor, der bereits mit gravierenden Lieferengpässen bei DRAM und NAND zu kämpfen hat. Obwohl Halbleiterhersteller wie Samsung die Produktion an bestehenden und neuen Standorten mit Hochdruck ausbauen, werden sie voraussichtlich nur etwa 70 % der aktuellen Nachfrage decken können.

Auch wenn eine Produktionsunterbrechung von 2–4 % auf den ersten Blick geringfügig erscheinen mag, sind die Auswirkungen im derzeitigen unsicheren Marktumfeld nicht zu unterschätzen. Selbst eine Unterbrechung von nur 1 % könnte erhebliche Verzögerungen in der Lieferkette auslösen. Für Verbraucher und Hersteller gleichermaßen droht dieser Streik die ohnehin schon steigenden Preise für wichtige Komponenten weiter in die Höhe zu treiben und die ohnehin schwierige wirtschaftliche Lage zusätzlich zu verschärfen.

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