台積電宣布了有關其創新「2nm N2」技術的令人興奮的新更新，展示了良率和性能指標的顯著進步。
台積電「N2奈米片」技術的變革性能
人們對台積電 2 奈米製程的期望持續成長，因為這個新節點有望在性能和能源效率方面帶來顯著增強。預計量產將於 2025 年下半年開始，台積電在舊金山舉行的 IEEE 國際電子裝置會議 (IEDM) 上發表演講時公佈的最新見解揭示了 2nm 與其前身相比如何。焦點集中在尖端的「奈米片」技術上。
台積電報告稱，其 2nm 製程可將效能提升 15%，同時功耗降低高達 30%。這些進步顯著提高了節點的整體效率。此外，此製程的電晶體密度增加了 1.15 倍，這一里程碑歸功於全能閘極 (GAA) 奈米片電晶體和 N2 NanoFlex 架構的結合，優化了各種邏輯單元的空間。
從傳統的 FinFET 技術過渡到專用的 N2「奈米片」架構，台積電能夠更好地控制電流。由於奈米片的複雜設計，這種轉變使製造商能夠根據特定的使用情況定制操作參數，奈米片由堆疊的窄矽帶組成，每個矽帶完全被柵極包圍。與 FinFET 實作相比，此設計可實現更精確的電流控制。
與 3nm 製程及其變體相比，台積電的 N2 技術顯示出顯著的容量增強。這項重大進展預計將吸引蘋果和 NVIDIA 等領先的產業參與者，他們渴望利用這項創新流程所提供的世代優勢。然而，這些升級的引入也將導致晶圓成本大幅增加，預計將較3nm技術將上漲10%以上。
據報道，N2 晶圓的成本可能會下降到 25,000 美元至 30,000 美元之間，這反映了台積電的定價策略，較 3nm 晶圓的約 20,000 美元有明顯上漲。此外，考慮到初始良率和早期生產試驗，最初的總產量可能相當有限，這表明這種先進製程將被逐步採用。
發佈留言