最近的報導表明，中芯國際在追求先進晶片生產的過程中遇到了多重挑戰，特別是由於缺乏尖端的極紫外線 (EUV) 光刻設備。這項限制阻礙了該公司超越 7nm 技術節點的努力。據預測，中芯國際預計2025年完成5奈米晶片開發。
使用 DUV 設備的挑戰
利用較舊的深紫外線 (DUV) 光刻工具可能使中芯國際實現其 5nm 目標。然而，這種方法存在嚴重的缺點。值得注意的是，預計生產相關成本將比競爭對手台積電同類製造流程高出 50%。此外，預計中芯國際晶片的產量僅為台積電採用相同技術的晶片產量的三分之一。
Kiwoom Securities 的一份報告（由舉報人 @Jukanlosreve 重點報導）強調了中芯國際 5nm 晶片的預計完成時間表。該公司在製造這些先進節點時遇到了障礙，特別是在採用基於 7nm 節點的麒麟 9020 的華為 Mate 70 系列的量產方面。如果中芯國際能夠實現其雄心勃勃的目標，它仍可能面臨諸多挑戰。
如上所述，由於依賴較舊的 DUV 技術，中芯國際的 5nm 晶圓預計將產生高昂的成本，因為這需要額外的圖案化才能達到所需的光刻精度。價格上漲和產量下降共同為中芯國際在快速發展的半導體領域競爭設置了巨大的障礙。
中芯國際計劃於2025年完成5奈米製程的開發。
他們實現了非EUV的7nm（N+2）製程的量產，並完成了5nm製程的開發，以支撐華為Ascend 910C的量產。
中芯國際5nm製程成本為…
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) 2025 年 3 月 26 日
未來前景和障礙
由於DUV技術的限製而引入的額外製造步驟不僅會導致5nm晶圓的生產時間更長，還可能導致更高的缺陷產品發生率。一個關鍵因素是中芯國際能否開發自己的 EUV 技術，目前處於試生產階段，預計將於 2025 年第三季投入營運。此外，與華為有關聯的中國設備製造商 SiCarrier 正在積極探索 ASML 技術的替代方案，這可能有助於克服這些限制。
雖然中芯國際 5nm 晶圓增產的具體時間表尚不清楚，但 @Jukanlosreve 指出，華為計劃在其 Ascend 910C AI 晶片中利用這項技術。此舉旨在減少中國對 NVIDIA 產品的依賴。本土 EUV 機器的成功開發將使中芯國際未來能夠追求更先進的半導體技術節點。我們將在未來幾週內提供有關中芯國際 5nm 製程進展的最新消息。
新聞來源：@Jukanlosreve
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